[發(fā)明專利]RFID零件認證及處理部件的追蹤在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110239607.5 | 申請日： | 2017-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN112908842A | 公開（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 艾拉·亨特;羅素·杜克;阿米塔布·普里;史蒂文·M·瑞迪 | 申請（專利權(quán)）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;H01L21/67;B24B1/00;B24B37/005;B24B37/20;B24B37/30;G05B19/042;G05B19/418;G06K7/10;H04L29/06;H04W12/06 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | rfid 零件 認證 處理 部件 追蹤 | ||
1.一種利用基板處理系統(tǒng)處理基板的方法，所述方法包含下列步驟：
利用詢問器，接收來自遠程通信器件的一或多個信號，其中所述一或多個信號包含由通訊耦合至所述遠程通信器件的傳感器檢測的有關(guān)一或多個基板處理條件的感測性信息；
利用控制器，分析所述感測性信息，所述控制器適于控制在所述基板處理系統(tǒng)中執(zhí)行的處理；和
利用所述控制器，基于接收到的所述感測性信息改變基板處理參數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述感測性信息包括以下項中的至少一者：溫度數(shù)據(jù)、壓力數(shù)據(jù)、電導率數(shù)據(jù)、彈性模量數(shù)據(jù)、光學數(shù)據(jù)、聲學數(shù)據(jù)、膜厚度數(shù)據(jù)或上述項的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述傳感器包括溫度傳感器、聲音傳感器、電導率傳感器或加速度計。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進一步包含下列步驟：
通過一或多個應用程序編程接口(API)從用戶接口應用程序接收用戶輸入；及
利用所述詢問器，將所述用戶輸入傳送至所述遠程通信器件以供存儲在所述遠程通信器件的存儲器中。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板處理系統(tǒng)是以下項中的一者：化學機械研磨(CMP)系統(tǒng)、化學氣相沉積(CVD)腔室、物理氣相沉積(PVD)腔室、離子注入腔室、蝕刻處理系統(tǒng)或腔室、光蝕刻處理系統(tǒng)、或基板薄化系統(tǒng)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進一步包含下列步驟：
利用所述遠程通信器件，對從所述傳感器接收的一或多個信號進行編碼，以生成所述感測性信息；和
利用所述遠程通信器件，將所述感測性信息傳送至所述詢問器。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述遠程通信器件耦合至所述基板處理系統(tǒng)的處理部件。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，所述方法進一步包含下列步驟：
在所述控制器處，接收與所述處理部件有關(guān)的識別符信息，其中所述識別符信息存儲在所述遠程通信器件的存儲器中。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中分析所述感測性信息的步驟包括生成與所述處理部件有關(guān)的使用數(shù)據(jù)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，所述方法進一步包含下列步驟：
利用所述詢問器，將所述使用數(shù)據(jù)傳送至所述遠程通信器件，以用于將所述使用數(shù)據(jù)儲存在所述遠程通信器件的存儲器中。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述基板處理參數(shù)基于所生成的所述使用數(shù)據(jù)而改變。
12.一種利用基板處理系統(tǒng)處理基板的方法，所述方法包含下列步驟：
利用詢問器，接收來自遠程通信器件的一或多個信號，其中所述遠程通信器件耦合至設置在所述基板處理系統(tǒng)中的處理部件，所述一或多個信號包含由通訊耦合至所述遠程通信器件的傳感器檢測的有關(guān)一或多個基板處理條件的感測性信息，并且所述一或多個信號包含與所述處理部件有關(guān)的識別符信息；
利用控制器，分析所述一或多個信號，所述控制器適于控制在所述基板處理系統(tǒng)中執(zhí)行的處理；和
利用所述控制器，基于所述一或多個信號的所述分析改變基板處理參數(shù)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述感測性信息包括以下項中的至少一者：溫度數(shù)據(jù)、壓力數(shù)據(jù)、電導率數(shù)據(jù)、彈性模量數(shù)據(jù)、光學數(shù)據(jù)、聲學數(shù)據(jù)、膜厚度數(shù)據(jù)或上述項的組合。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述傳感器包括溫度傳感器、聲音傳感器、電導率傳感器或加速度計。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
