[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110239448.9 | 申請日： | 2021-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN113130679A | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王志永;趙劍;吳華;張傳升;郭凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶神華薄膜太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372 | 代理人： | 吳大建;金淼 |
| 地址： | 404100 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種薄膜太陽能電池，其特征在于，包括依次疊層設(shè)置的襯底、背接觸層、P型二硒化鉬膜層、P型吸收層、N型緩沖層和窗口層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述P型二硒化鉬膜層的空穴濃度大于所述P型吸收層的空穴濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述P型二硒化鉬膜層的空穴濃度比所述P型吸收層的空穴濃度大1至5個數(shù)量級。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述P型二硒化鉬膜層的厚度小于所述P型吸收層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述P型吸收層包括銅銦硒膜層、銅銦鎵硒膜層和銅銦鎵硒硫膜層中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述襯底為剛性襯底或柔性襯底。
7.一種薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上方形成背接觸層；
在所述背接觸層上方形成P型二硒化鉬膜層；
在所述P型二硒化鉬膜層上方形成P型吸收層；
在所述P型吸收層上方形成N型緩沖層；
在所述N型緩沖層上方形成窗口層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述P型二硒化鉬膜層的空穴濃度大于所述P型吸收層的空穴濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述P型二硒化鉬膜層的空穴濃度比所述P型吸收層的空穴濃度大1至5個數(shù)量級。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述P型二硒化鉬膜層的厚度小于所述P型吸收層的厚度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
