[發明專利]半導體元件及其制作方法有效
| 申請號： | 202110238873.6 | 申請日： | 2018-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN112968036B | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發明（設計）人： | 馮雅圣;林宏展;王裕平;陳禹鈞;邱久容 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H10B61/00 | 分類號： | H10B61/00;H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件，其特征在于，包含：
第一金屬間介電層，設于基底上，該第一金屬間介電層上表面包含曲面；
磁性隧穿結(magnetic?tunneling?junction,?MTJ)，設于該第一金屬間介電層上；
金屬內連線，設于該磁性隧穿結下方并位于該第一金屬間介電層內，其中該金屬內連線包含第一傾斜側壁以及第二傾斜側壁；
間隙壁，設于該磁性隧穿結周圍以及該第一傾斜側壁與該第二傾斜側壁上；以及
第二金屬間介電層設于該第一金屬間介電層上并環繞該間隙壁，
其中該間隙壁直接接觸該第一傾斜側壁以及該第二傾斜側壁。
2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該金屬內連線包含第三傾斜側壁連接該第一傾斜側壁以及第四傾斜側壁連接該第二傾斜側壁。
3.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第一傾斜側壁以及該第三傾斜側壁包含V形。
4.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第二傾斜側壁以及該第四傾斜側壁包含V形。
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