[發(fā)明專利]三維微納彎折結構及利用電子束制備其的方法

在審

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• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN113023667A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 顧長志;鄭睿瑄;潘如豪;楊海方;金愛子;李俊杰
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京市正見永申律師事務所 11497
• 代理人: 黃小臨;馮玉清

1.一種利用電子束制備三維彎折結構的方法，包括：

制備疊層結構，所述疊層結構至少包括第一層和在所述第一層上的第二層，所述疊層結構具有支承在襯底上的主體部分和從所述主體部分延伸的至少一個懸伸圖案部分；

用電子束照射所述懸伸圖案部分，以使得所述懸伸圖案部分發(fā)生彎折，從而獲得三維彎折結構。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一層由電介質材料形成，所述第二層由金屬材料形成。

3.如權利要求1所述的方法，其中，制備疊層結構包括：

在所述襯底上形成所述第一層；

蝕刻所述第一層，以形成主體部分和從所述主體部分延伸的懸伸圖案部分；

在所述襯底上形成犧牲層圖案，所述犧牲層圖案暴露所述第一層的主體部分和懸伸圖案部分；

在所述犧牲層圖案和所述第一層的主體部分和懸伸圖案部分上沉積第二層；

去除所述犧牲層圖案和沉積在所述犧牲層圖案上的所述第二層的部分，以獲得所述疊層結構；以及

去除所述襯底的位于所述疊層結構的懸伸圖案部分下面的部分，使得所述主體部分被支承在所述襯底上，而所述懸伸圖案部分從所述主體部分懸空伸出。

4.如權利要求1所述的方法，其中，制備疊層結構包括：

在所述襯底上形成第一層和在所述第一層上的第二層；

蝕刻所述第一層和所述第二層，以形成包括主體部分和從所述主體部分延伸的懸伸圖案部分的疊層結構；以及

去除所述襯底的位于所述疊層結構的懸伸圖案部分下面的部分，使得所述主體部分被支承在所述襯底上，而所述懸伸圖案部分從所述主體部分懸空伸出。

5.如權利要求1所述的方法，其中，制備疊層結構包括：

將第一層轉移到所述襯底上，所述襯底具有至少一個開口區(qū)域，所述第一層覆蓋所述襯底的開口區(qū)域；

蝕刻所述第一層，以形成被所述襯底支承的主體部分和從所述主體部分延伸到所述襯底的開口區(qū)域中的至少一個懸伸圖案部分；以及

在所述第一層上沉積所述第二層。

6.如權利要求1所述的方法，其中，制備疊層結構包括：

將至少包括第一層和在所述第一層上的第二層的多層膜轉移到所述襯底上，所述襯底具有至少一個開口區(qū)域，所述多層膜覆蓋所述襯底的開口區(qū)域；以及

蝕刻所述多層膜，以形成被所述襯底支承的主體部分和從所述主體部分延伸到所述襯底的開口區(qū)域中的至少一個懸伸圖案部分。

7.如權利要求1所述的方法，其中，用電子束照射所述懸伸圖案部分包括：

用電子束全局照射或局部照射所述第二層的懸伸圖案部分。

8.如權利要求7所述的方法，其中，用電子束全局照射或局部照射所述第二層的懸伸圖案部分包括：

用電子束逐點掃描所述第二層的懸伸圖案部分的全部或局部區(qū)域。

9.一種利用權利要求1-8中的任一項所述的方法制備的三維彎折結構，具有至少包括第一層和在所述第一層上的第二層的疊層結構，所述疊層結構包括主體部分和從所述主體部分延伸的至少一個三維彎折部分。

10.如權利要求9所述的三維彎折結構，其中，所述第一層和所述第二層每個的厚度在1nm至100μm的范圍內，優(yōu)選地在1nm至1μm的范圍內，更優(yōu)選地在1nm至100nm的范圍內。