[發明專利]電子設備在審
| 申請號: | 202110238197.2 | 申請日: | 2021-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN113707685A | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發明(設計)人: | 金驲柱;金德中;崔源埈;鄭榮培 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子設備 | ||
1.電子設備,包括有效區域和鄰近于所述有效區域設置的線區域,所述電子設備包括:
顯示元件層;
封裝層,設置在所述顯示元件層上;
傳感器層,包括:
感測電極,設置在所述有效區域中;以及
感測線,設置在所述線區域中,與所述感測電極電連接,
并在第一方向上延伸;以及
高折射層,設置在所述傳感器層上,其中
所述傳感器層還包括:
第一導電層,設置在所述封裝層上;
第二導電層,設置在所述第一導電層上;
無機絕緣層,設置在所述第一導電層與所述第二導電層之間;以及
有機絕緣層,設置在所述第二導電層與所述高折射層之間,
其中,在所述線區域中,在所述有機絕緣層中限定至少一個開口,所述至少一個開口在不同于所述第一方向的第二方向上延伸,以及
所述無機絕緣層通過所述有機絕緣層的所述至少一個開口暴露。
2.根據權利要求1所述的電子設備,其中,在所述無機絕緣層中限定多個接觸孔,并且所述多個接觸孔包括分別在所述有機絕緣層的所述至少一個開口的一側和另一側處的第一接觸孔和第二接觸孔。
3.根據權利要求2所述的電子設備,其中,所述第一導電層和所述第二導電層通過所述多個接觸孔中的所述第一接觸孔和所述第二接觸孔彼此電連接。
4.根據權利要求2所述的電子設備,其中,所述多個接觸孔中的所述第一接觸孔和所述第二接觸孔由所述第二導電層填充。
5.根據權利要求2所述的電子設備,其中,所述多個接觸孔中的所述第一接觸孔和所述第二接觸孔與所述有機絕緣層重疊并且不與所述高折射層重疊。
6.根據權利要求1所述的電子設備,其中,
所述第一方向從所述有效區域延伸至所述線區域,以及
所述第二方向垂直于所述第一方向。
7.根據權利要求1所述的電子設備,還包括多個堤部,所述多個堤部設置在所述線區域中并圍繞所述有效區域的至少一部分,
其中,所述多個堤部鄰近于所述有效區域設置,并且不與所述有機絕緣層的所述至少一個開口重疊。
8.根據權利要求7所述的電子設備,其中,所述線區域包括:
第一部,鄰近于所述有效區域設置,其中,所述多個堤部設置在所述第一部中;
第二部,與所述有機絕緣層的所述至少一個開口重疊;以及
第三部,設置在所述第一部與所述第二部之間,其中
所述無機絕緣層、所述有機絕緣層和所述高折射層在所述線區域的所述第一部中彼此重疊,
所述無機絕緣層在所述線區域的所述第二部中不與所述有機絕緣層和所述高折射層重疊,以及
所述無機絕緣層在所述線區域的所述第三部中與所述有機絕緣層重疊并且不與所述高折射層重疊。
9.根據權利要求8所述的電子設備,其中
所述第一導電層、所述無機絕緣層、所述第二導電層、所述有機絕緣層和所述高折射層在所述線區域的所述第一部中順序地形成,
所述第一導電層和所述無機絕緣層在所述線區域的所述第二部中形成,以及
所述第一導電層、所述無機絕緣層、所述第二導電層和所述有機絕緣層在所述線區域的所述第三部中順序地形成。
10.根據權利要求9所述的電子設備,還包括:
粘合層,設置在所述高折射層上;以及
偏振器層,設置在所述粘合層上,其中
所述粘合層在所述線區域的所述第一部中接觸所述高折射層,
所述粘合層在所述線區域的所述第二部中接觸暴露的所述無機絕緣層,以及
所述粘合層在所述線區域的所述第三部中接觸所述有機絕緣層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110238197.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





