[發(fā)明專利]一種Al-Cu濺射靶材及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110237906.5
• 申請日: 2021-03-03
• 公開（公告）號: CN113025973A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 大巖一彥;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩
• 申請（專利權）人: 浙江最成半導體科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B23B5/00;B23Q11/10
• 代理公司: 成都維飛知識產(chǎn)權代理有限公司 51311
• 代理人: 魏春蓉

本申請涉及材料領域，具體而言，涉及一種Al?Cu濺射靶材及其制備方法。所述濺射靶材的純度為99.999％以上；所述濺射靶材的粗糙度Ra≦0.4μm，且所述濺射靶材的外周部的粗糙度Ra和所述濺射靶材的中心部的粗糙度Ra的差異在±40％以內(nèi)。外周部和中心部的粗糙度差異較小；能夠有效抑制由于靶材表面的顆粒或凹凸造成的異常放電。

技術領域

本申請涉及材料領域，具體而言，涉及一種Al-Cu濺射靶材及其制備方法。

背景技術

濺射工藝是以一定能量的粒子(離子或中性原子、分子)轟擊固體表面，使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。濺射靶材在表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成分與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等均具有較高的要求。

現(xiàn)有技術中的靶材在濺射過程中時常會發(fā)生不同程度的異常放電。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例的目的在于提供一種Al-Cu濺射靶材及其制備方法，其旨在提供一種可抑制異常放電的濺射靶材。

本申請第一方面提供一種Al-Cu濺射靶材。

所述濺射靶材的純度為99.999％以上；

所述濺射靶材的粗糙度Ra≦0.4μm，且所述濺射靶材的外周部的粗糙度Ra和所述濺射靶材的中心部的粗糙度Ra的差異在±40％以內(nèi)。

在本申請的一些實施例中，所述外周部為濺射靶材從最外周起至向內(nèi)15mm處的范圍，所述中心部為所述濺射靶材中心起向外15mm處的范圍。

在本申請的一些實施例中，濺射靶材的粗糙度Rz≦3.2μm，且所述濺射靶材的外周部的粗糙度Rz和所述濺射靶材的中心部的粗糙度Rz的差異在±40％以內(nèi)。

在本申請的一些實施例中，濺射靶材的粗糙度Ra≦0.2μm，且所述濺射靶材的外周部的粗糙度Ra和所述濺射靶材的中心部的粗糙度Ra的差異在±20％以內(nèi)。

在本申請的一些實施例中，所述濺射靶材為圓形靶材。

本申請還提供一種上述的Al-Cu濺射靶材的制備方法，包括：

采用車床加工得到濺射靶材。

在本申請的一些實施例中，車床加工過程中切削液為碳氫溶劑或者93vol％以上的乙醇。

在本申請的一些實施例中，所述采用車床加工得到濺射靶材的加工過程中，在濺射靶材的表面通惰性氣體。

在本申請的一些實施例中，所述車床加工的條件如下：

轉數(shù)為500rpm-1500rpm，進給速度為0.01mm/min-0.1mm/min，吃刀量為0.01mm-0.05mm。

在本申請的一些實施例中，所述車床加工的條件如下：

刀具與加工面的接觸角度為45°以上。

本申請實施例提供的Al-Cu濺射靶材及其制備方法至少具有以下有益效果；

Al-Cu濺射靶材的純度大于99.999％，并且車床加工后得到外周部粗糙度Ra和中心部粗糙度Ra的差異在±40％以內(nèi)的濺射靶材，外周部和中心部的粗糙度差異較小，能夠有效抑制由于靶材表面的顆粒或凹凸造成的異常放電。隨著濺射時間的增加，濺射靶材表面的被濺射的區(qū)域逐漸擴大，粗糙部分的異常放電將持續(xù)很長時間。為了防止這種現(xiàn)象，需要表面粗糙均勻的靶材。本申請實施例提供的濺射靶材表面可以防止該現(xiàn)象。

附圖說明