[發明專利]半導體處理裝置及排氣方法

在審

• 申請號: 202110237609.0
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN112992741A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 祝君龍;任德營;李君;鄭曉芬
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

本發明公開一種半導體處理裝置，其包括腔體、廢氣排出裝置和控制器；所述腔體形成有用以進行多個工藝處理步驟的腔室，以及與所述腔室連通的排氣口；所述廢氣排出裝置設置在所述腔體上，配置成向所述腔室提供氣流；所述控制器設置在所述腔體上，配置成因應所述多個工藝處理步驟控制所述廢氣排出裝置的廢氣排出速率，使得每個步驟中的排氣量對應于各對應步驟的排氣目標值。本揭示還公開一種應用于所述半導體處理裝置的排氣方法。

技術領域

本發明涉及半導體的技術領域，特別是涉及一種半導體處理裝置及排氣方法。

背景技術

半導體產業在制造過程中會使用各種化合物，因而不可避免地會產生廢氣。例如：單片式清洗機(Wet Single)通常要在一個工藝過程中以不同的程式執行多個步驟，諸如以不同化學清洗液進行清洗的多個步驟、以去離子水進行沖洗的步驟及干燥步驟。單片式清洗機的排氣(exhaust)通常是由在其頂部的風機過濾單元(fan filter unit，FFU)與在其底部的泵(Pump)共同作用產生負壓，將廢氣排出。在不同步驟中，不同化學清洗液產生的廢氣量是不同的，然而現有的單片式清洗機的排氣量都是預設的固定值。此使得在使用易揮發的化學清洗液的步驟中所產生的大量廢氣無法及時被抽走，而在單片式清洗機的腔體內凝結成液體，由廢氣凝結成的液體會污染設置在所述腔體內的零部件，甚至在干燥步驟時滴落至晶圓,而造成晶圓的瑕疵。若為解決此問題而將預設的固定排氣量提高，則會增加能源的消耗。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供一種半導體處理裝置，其包括腔體、廢氣排出裝置和控制器；所述腔體形成有用以進行多個工藝處理步驟的腔室，以及與所述腔室連通的排氣口；所述廢氣排出裝置設置在所述腔體上，配置成向所述腔室提供氣流以排出所述腔室內的廢氣；所述控制器設置在所述腔體上，配置成因應所述多個工藝處理步驟控制所述廢氣排出裝置的廢氣排出速率，使得每個步驟中的排氣量對應于各對應步驟的排氣目標值。

在一方面，每個步驟的排氣目標值對應于各對應步驟中的平均廢氣量。

在一方面，所述廢氣排出裝置包括供氣組件，其中所述控制廢氣排出裝置的廢氣排出速率包括調整所述供氣組件向所述腔室內輸入的氣流量。

在一方面，所述供氣組件包括風機，其中所述控制廢氣排出裝置的廢氣排出速率包括調節所述風機的轉速。

在一方面，所述廢氣排出裝置包括排氣風門，設置在所述排氣口中，其中所述控制廢氣排出裝置的排出速率包括調節所述排氣風門的開度。

在一方面，所述廢氣排出裝置包括抽吸組件，連接至所述排氣口，其中所述控制廢氣排出裝置的廢氣排出速率包括調節所述抽吸組件的抽吸力度。

在一方面，所述控制器包括存儲部，存儲有用于控制所述廢氣排出裝置的廢氣排出速率以達成所述排氣目標值的程序，其中所述控制器讀取并執行所述程序來控制所述廢氣排出裝置的廢氣排出速率，以達成所述排氣目標值。

在一方面，所述程序包括每個步驟中的所述廢氣排出裝置的工作參數。

在一方面，所述半導體處理裝置還包括供給部，所述供給部設置在所述腔體內，配置成供給所述多個工藝處理步驟所需的多種處理液；其中，每個步驟的排氣目標值是對應于各對應步驟中所用的處理液的揮發性設置。

在一方面，所述半導體處理裝置還包括廢氣量感測器，設置在所述腔體內，配置成感測所述腔體內的即時廢氣量，并將即時廢氣量傳送至所述控制器，其中所述控制器還配置成將每個步驟的即時廢氣量與對應步驟的排氣目標值相比，當即時廢氣量大于排氣目標值時，所述控制器控制所述廢氣排出裝置增加廢氣排出速率，以及當即時廢氣量小于排氣目標值時，所述控制器控制所述廢氣排出裝置減少廢氣排出速率。