[發(fā)明專利]一種封裝工藝中芯片上噴射錫膏的上錫膏站裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110236904.4
• 申請(qǐng)日: 2021-03-03
• 公開（公告）號(hào): CN112786498A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳能強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫昌鼎電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 無(wú)錫智麥知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32492
• 代理人: 劉詠華

本發(fā)明公開一種封裝工藝中芯片上噴射錫膏的上錫膏站裝置，包括十字平臺(tái)、框架定位平臺(tái)、檢測(cè)相機(jī)、氣管，還包括噴氣電磁閥、管裝膠筒、分流塊、噴膠頭，所述十字平臺(tái)上部安裝有框架定位平臺(tái)，十字平臺(tái)控制框架定位平臺(tái)在前、后及左、右位置移動(dòng)；其特征在于：框架定位平臺(tái)放置固定塊；框架定位平臺(tái)上方設(shè)有噴氣電磁閥和管裝膠筒，管裝膠筒上方安裝有氣管，管裝膠筒和氣管連接有過渡段，管裝膠筒下方連接安裝有分流塊，噴氣電磁閥下方安裝有分流塊，噴氣電磁閥控制噴膠氣源；分流塊下側(cè)安裝有噴膠頭；噴氣電磁閥一側(cè)設(shè)有檢測(cè)相機(jī)，噴氣電磁閥連接有電磁閥開關(guān)。使用封裝制程更穩(wěn)定，可使產(chǎn)品在小型化薄型化中制作方便，不會(huì)遇到難處。

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明屬于電子芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種封裝工藝中芯片上噴射錫膏的上錫膏站裝置。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有的封裝領(lǐng)域里，使用芯片上錫膏的方式普遍存在無(wú)法高速高效的穩(wěn)定出膠，并且在0.3mm尺寸芯片下更是明顯，對(duì)產(chǎn)品的小型化,薄型化定來(lái)一定的難度。芯片上錫膏時(shí)無(wú)法快速穩(wěn)定的涂布0.35mm以下膠量，且極易沾附起芯片造成質(zhì)量隱患產(chǎn)品報(bào)廢。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種封裝工藝中芯片上噴射錫膏的上錫膏站裝置，使用封裝制程更穩(wěn)定,可使產(chǎn)品在小型化薄型化中制作方便不會(huì)遇到難處。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種封裝工藝中芯片上噴射錫膏的上錫膏站裝置，包括十字平臺(tái)、框架定位平臺(tái)8、檢測(cè)相機(jī)9、氣管，還包括噴氣電磁閥1、管裝膠筒6、分流塊4、噴膠頭5，所述十字平臺(tái)上部安裝有框架定位平臺(tái)8，十字平臺(tái)控制框架定位平臺(tái)8在前、后及左、右位置移動(dòng)；框架定位平臺(tái)8固定放置固定塊7；框架定位平臺(tái)8上方設(shè)有噴氣電磁閥1和管裝膠筒6，管裝膠筒6上方安裝有氣管10，管裝膠筒6和氣管10連接有過渡段，管裝膠筒6下方和噴氣電磁閥1下方安裝有分流塊4，噴氣電磁閥1控制噴膠氣源；分流塊下側(cè)安裝有噴膠頭5；噴氣電磁閥1一側(cè)設(shè)有檢測(cè)相機(jī)9，噴氣電磁閥1連接有電磁閥開關(guān)。

進(jìn)一步的，所述框架定位平臺(tái)8為矩形框，框架定位平臺(tái)8沿矩形框長(zhǎng)度方向的兩側(cè)設(shè)置支撐塊組成。

進(jìn)一步的，所述氣管10直徑小于管裝膠筒直徑。

進(jìn)一步的，噴氣電磁閥1上部安裝有氣管接頭2、平頭銅消音器3。氣管接頭型號(hào)為SMC-KQ2L06-M5。

與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有如下的有益效果：

本發(fā)明芯片封裝工藝中使用噴射氣體帶動(dòng)錫膏芯片上噴射錫膏的運(yùn)行方法，解決在現(xiàn)有封裝工藝中芯片上錫膏時(shí)無(wú)法快速穩(wěn)定的涂布0.35mm以下膠量,且極易沾附起芯片造成質(zhì)量隱患產(chǎn)品報(bào)廢?？赏高^非接觸的氣流帶動(dòng)錫膏,達(dá)到高效噴涂在小尺寸芯片上。使用封裝制程更穩(wěn)定,可使產(chǎn)品在小型化薄型化中制作方便不會(huì)遇到難處。

附圖說明

圖1為本發(fā)明封裝工藝中芯片上噴射錫膏的上錫膏站裝置的立體示意圖。

圖2為本發(fā)明封裝工藝中芯片上噴射錫膏的上錫膏站裝置的主視圖。

圖3為本發(fā)明封裝工藝中芯片上噴射錫膏的上錫膏站裝置的俯視圖。

圖4為本發(fā)明封裝工藝中芯片上噴射錫膏的上錫膏站裝置的另一立體圖。

具體實(shí)施方式

為了更好的闡述本發(fā)明，下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。

使用噴射氣體帶動(dòng)錫膏芯片上噴射錫膏的運(yùn)行方法，原理如下：a.管裝錫膏后方由一微弱穩(wěn)定正壓推進(jìn)錫膏,經(jīng)由連接流道進(jìn)入出膠閥嘴；b.透過高速噴氣電磁閥開關(guān)控制高壓氣體推動(dòng)出膠閥嘴內(nèi)的錫膏；c.使錫膏藉由高壓氣流噴附到所需的芯片表片,過程中不會(huì)接觸到芯片即不會(huì)造成芯片沾附；d.錫膏量的大小控制為噴氣時(shí)間多寡控制,錫膏的面積則可透過出膠閥嘴來(lái)改變。