[發(fā)明專利]一種實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110236295.2
• 申請日: 2021-03-03
• 公開（公告）號: CN113054457A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬鳴;郭敬杰;曹正廣
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻日達科技股份有限公司
• 主分類號: H01R12/71
• 分類號: H01R12/71;H01R13/02;H01R13/405
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其包括固持件、埋設(shè)成型在所述固持件內(nèi)的若干PIN針端子，所述PIN針端子包括滿足SIM卡與Nano SD卡通信需求的八個第一PIN端子，所述八個第一PIN端子形成有與SIM卡或Nano SD卡對應(yīng)觸點連接的第一組接觸點、第二組接觸點，所述第一組接觸點與所述第二組接觸點相對分布，其特征在于：所述PIN針端子還包括滿足高速傳輸?shù)母咚貾IN端子組，所述高速PIN端子組中有3～8個第二PIN端子，所述高速PIN端子組形成有第三組接觸點。

2.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其特征在于：所述第三組接觸點全部位于所述第一組接觸點與所述第二組接觸點之間；或

部分接觸點位于所述第一組接觸點與所述第二組接觸點之間、部分接觸點位于所述第一組接觸點或所述第二組接觸點一旁。

3.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其特征在于：所述第三組接觸點與所述第一組接觸點、所述第二組接觸點位于所述固持件的同一側(cè)表面上方；或

所述第一組接觸點與所述第二組接觸點位于所述固持件的同一側(cè)表面上方，所述第三組接觸點位于所述固持件的另一側(cè)表面下方。

4.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其特征在于：八個所述第一PIN端子呈四對并排設(shè)置在所述固持件上，每一對中的兩個第一PIN端子相對分布；所有的所述第二PIN端子相對交錯設(shè)置在所述八個第一PIN端子之間。

5.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其特征在于：所述第二PIN端子設(shè)置有五個。

6.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其特征在于：所述第二PIN端子的中部設(shè)置有一在其受到下壓后與PCB板發(fā)生干涉的干涉支撐部。

7.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其特征在于：所述固持件為一體成型的塑膠件結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其特征在于：所述固持件上設(shè)置有與所述PIN針端子一一對應(yīng)的端子隔離槽，所述PIN針端子的尾部埋設(shè)在所述固持件的本體內(nèi)，其彈片部容置于所述端子隔離槽內(nèi)且通過所述端子隔離槽進行隔離。

9.如權(quán)利要求8所述的實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其特征在于：所述端子隔離槽內(nèi)設(shè)置有與所述第一PIN端子、所述第二PIN端子的頭部一一對應(yīng)的且將端子頭部向下壓制的端子頭部下壓部。

10.如權(quán)利要求9所述的實現(xiàn)Nano SD 2.0高速傳輸?shù)目ㄗB接器，其特征在于：所述端子隔離槽內(nèi)形成有被所述端子頭部下壓部隔離而成的鏤空槽，為所述PIN針端子的頭部的伸縮運動提供了活動空間。