[發(fā)明專利]開關電源及其控制芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110236152.1
• 申請日: 2021-03-03
• 公開（公告）號: CN112886837B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設計）人: 翟向坤;陳耀璋;朱力強
• 申請（專利權）人: 昂寶電子（上海）有限公司
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02M3/335;H02M1/36
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 田琳婧

1.一種用于開關電源的控制芯片，包括高壓N溝道結型場效應晶體管JFET、電流路徑控制模塊、脈寬調制PWM控制模塊、功率監(jiān)測模塊、以及結型場效應晶體管JFET控制模塊，其中：

所述高壓N溝道結型場效應晶體管JFET的漏極連接所述控制芯片的高壓輸入腳、源極連接所述電流路徑控制模塊、柵極連接所述結型場效應晶體管JFET控制模塊；

所述電流路徑控制模塊被配置為控制所述高壓N溝道結型場效應晶體管JFET與所述控制芯片的內部電路之間的電流路徑的導通與關斷；

所述脈寬調制PWM控制模塊表征所述控制芯片的內部電路中的耗電部分，并且被配置為控制所述開關電源中的功率開關的導通與關斷；

所述功率監(jiān)測模塊被配置為監(jiān)測所述脈寬調制PWM控制模塊的功率消耗，并根據(jù)所述脈寬調制PWM控制模塊的功率消耗生成功耗控制信號；并且

所述結型場效應晶體管JFET控制模塊被配置為根據(jù)所述功耗控制信號生成動態(tài)響應控制信號、調節(jié)控制信號、以及預判控制信號，并根據(jù)所述動態(tài)響應控制信號、所述調節(jié)控制信號、以及所述預判控制信號控制所述高壓N溝道結型場效應晶體管JFET的柵極電壓，從而控制所述高壓N溝道結型場效應晶體管JFET提供給所述控制芯片的內部電路的電流。

2.根據(jù)權利要求1所述的控制芯片，其中，所述電流路徑控制模塊進一步被配置為根據(jù)其自身的電流輸入端口和電流輸出端口之間的電壓差值，控制所述高壓N溝道結型場效應晶體管JFET與所述控制芯片的內部電路之間的電流路徑的導通與關斷。

3.根據(jù)權利要求1所述的控制芯片，其中，所述電流路徑控制模塊進一步被配置為根據(jù)其自身的電流輸出端口的電壓，控制所述高壓N溝道結型場效應晶體管JFET與所述控制芯片的內部電路之間的電流路徑的導通與關斷。

4.根據(jù)權利要求1所述的控制芯片，其中，所述功率監(jiān)測模塊進一步被配置為通過監(jiān)測所述脈寬調制PWM控制模塊的電流消耗、電源電壓、以及由所述脈寬調制PWM控制模塊生成的用于控制所述功率開關的導通與關斷的開關控制信號中的至少一者，監(jiān)測所述脈寬調制PWM控制模塊的功率消耗。

5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的控制芯片，其中，所述功率監(jiān)測模塊進一步被配置為根據(jù)所述脈寬調制PWM控制模塊的功率消耗生成路徑控制信號，并且所述電流路徑控制模塊進一步被配置為根據(jù)所述路徑控制信號控制所述高壓N溝道結型場效應晶體管JFET與所述控制芯片的內部電路之間的電流路徑的導通與關斷。

6.根據(jù)權利要求1所述的控制芯片，其中，所述電流路徑控制模塊進一步被配置為在其自身的電流輸入端口和電流輸出端口之間的電壓差值低于第一閾值時，關斷所述高壓N溝道結型場效應晶體管JFET與所述控制芯片的內部電路之間的電流路徑。

7.根據(jù)權利要求1所述的控制芯片，其中，所述電流路徑控制模塊進一步被配置為在其自身的電流輸出端口的電壓超過第二閾值時，關斷所述高壓N溝道結型場效應晶體管JFET與所述控制芯片的內部電路之間的電流路徑。

8.一種開關電源，包括權利要求1至7中任一項所述的用于開關電源的控制芯片。