[發(fā)明專利]一種基于MoS2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110235697.0
• 申請日: 2021-03-03
• 公開（公告）號: CN113050305B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳曉君;郝思博;程伊城;周江平
• 申請（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類號: G02F1/015
• 分類號: G02F1/015
• 代理公司: 北京航智知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11668
• 代理人: 黃川;史繼穎

1.一種基于MoS₂和Si復(fù)合結(jié)構(gòu)的太赫茲調(diào)制器的調(diào)控方法，其特征在于，

所述太赫茲調(diào)制器包括半導(dǎo)體Si襯底和Si襯底表面生長的MoS₂層；

所述Si襯底的材料為單面拋光p型摻雜硅；

所述MoS₂層采用磁控濺射法在Si襯底的拋光面生長，形狀為垂直形態(tài)；

所述Si襯底的電阻率為300kΩ-320kΩ，所述MoS₂層的厚度為40nm-50nm；

所述調(diào)控方法包括以下步驟：

S1：采用太赫茲時域光譜系統(tǒng)即THz-TDS并配有波長為808nm的連續(xù)泵浦激光作為調(diào)制光源；

S2：利用前后兩片鐵片將太赫茲調(diào)制器固定于中間；

S3：改變連續(xù)泵浦激光照射太赫茲調(diào)制器的位置和強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對太赫茲波透射幅度的調(diào)制：

當(dāng)連續(xù)泵浦激光只照射在鐵片時，即只對太赫茲調(diào)制器提供加熱作用，此時太赫茲波的透射幅度隨外加連續(xù)泵浦激光功率增加而增加；

當(dāng)連續(xù)泵浦激光照射在太赫茲調(diào)制器時，即對太赫茲調(diào)制器同時提供加熱作用和光照作用，太赫茲波的透射幅度隨外加泵浦激光功率增加而減小；在0.3—1.6THz范圍內(nèi)，太赫茲調(diào)制器隨外加連續(xù)泵浦激光功率改變都具有調(diào)制作用，表明太赫茲調(diào)制器具有寬帶調(diào)制特性。