[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110235478.2
• 申請日: 2021-03-03
• 公開（公告）號: CN113341621A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設計）人: 樸度昤
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 車玉珠;康泉

本發(fā)明涉及顯示裝置。顯示裝置包括：在第一方向上延伸的柵線和在與第一方向交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線；第一開關(guān)元件，包括連接到數(shù)據(jù)線的第一源電極、第一漏電極和連接到柵線的第一柵電極；以及第二開關(guān)元件，包括連接到數(shù)據(jù)線的第二源電極、第二漏電極和連接到柵線的第二柵電極。第一漏電極的與第一柵電極重疊的區(qū)域在第二方向上延伸，第二源電極在第二方向上延伸并且與第一漏電極和第二漏電極平行。第二漏電極的與第二柵電極重疊的區(qū)域包括在第一方向上延伸的第一區(qū)域和在第二方向上延伸的第二區(qū)域。

技術(shù)領域

本發(fā)明的示例性實施例總體上涉及一種顯示裝置，并且更具體地，涉及一種能夠減小像素中的子像素之間的反沖電壓的差的范圍的顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著多媒體技術(shù)的逐步發(fā)展，顯示裝置變得越來越重要。因此，當前使用各種類型的顯示裝置，例如液晶顯示(LCD)裝置和有機發(fā)光顯示(OLED)裝置。

其中，LCD裝置是最常用的平板顯示裝置之一。LCD裝置包括兩個基板和設置在兩個基板之間的液晶層，在兩個基板處形成有諸如像素電極和公共電極的場產(chǎn)生電極。LCD裝置以如下方式顯示圖像：將電壓施加到場產(chǎn)生電極以產(chǎn)生穿過液晶層的電場，并且通過電場使液晶層中的液晶分子排列，以控制入射光的偏振。

LCD裝置可以是使用薄膜晶體管的有源矩陣LCD裝置。具體地，薄膜晶體管連接到像素電極，并且像素由薄膜晶體管的電容器電容保持的電壓驅(qū)動。

在本背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于理解本發(fā)明構(gòu)思的背景，并因此，其可能包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的一個或多個示例性實施例能夠減小像素中的子像素之間的反沖電壓的差異的范圍。

在本發(fā)明構(gòu)思的一個或多個示例性實施例中，一種顯示裝置包括能夠提高像素的開口率的顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施例，可以防止第一柵漏電容器的電容與第二柵漏電容器的電容之間的差增大，從而減小第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域之間的反沖電壓的差的范圍。結(jié)果，可以抑制由于顯示裝置上的亮度差引起的不均勻缺陷。

根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施例，形成與濾色器的通孔重疊的多個接觸孔允許提高像素的開口率。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施例，第二開關(guān)元件與第三開關(guān)元件間隔開，可以更自由地設計像素。

本發(fā)明構(gòu)思的附加特征將在下面的描述中闡述，并且部分地將通過該描述變得顯而易見，或者可以通過實踐本發(fā)明構(gòu)思來獲知。

根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施例，一種顯示裝置包括位于基板上的在第一方向上延伸的柵線和在與第一方向交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線。顯示裝置還包括：第一開關(guān)元件，包括連接到數(shù)據(jù)線的第一源電極、與第一源電極間隔開的第一漏電極和連接到柵線的第一柵電極；以及第二開關(guān)元件，包括連接到數(shù)據(jù)線的第二源電極、與第二源電極間隔開的第二漏電極和連接到柵線的第二柵電極，其中，第一漏電極的與第一柵電極重疊的區(qū)域在第二方向上延伸。第二源電極在第二方向上延伸，并且與第一漏電極和第二漏電極平行地設置，并且第二漏電極的與第二柵電極重疊的區(qū)域包括在第一方向上延伸的第一區(qū)域和在第二方向上延伸的第二區(qū)域。

根據(jù)一個或多個示例性實施例，第二漏電極的第二區(qū)域和第二源電極可以彼此面對并且可以平行布置。

根據(jù)一個或多個示例性實施例，第二漏電極的第二區(qū)域可以與柵線完全重疊，并且第二漏電極的第一區(qū)域的一部分可以不與柵線重疊。

根據(jù)一個或多個示例性實施例，第一開關(guān)元件包括第一半導體區(qū)域，在第一半導體區(qū)域中，第一溝道區(qū)形成在第一源電極與第一漏電極之間；以及第二開關(guān)元件包括第二半導體區(qū)域，在第二半導體區(qū)域中，第二溝道區(qū)形成在第二漏電極的第二區(qū)域與第二源電極之間。