[發(fā)明專利]高密度層錯的碳化硅材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110235027.9 | 申請日： | 2021-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN113024277B | 公開（公告）日： | 2022-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李炳生;戴亞堂;徐帥 | 申請（專利權(quán)）人： | 西南科技大學(xué) |
| 主分類號： | C04B41/00 | 分類號： | C04B41/00 |
| 代理公司： | 成都方圓聿聯(lián)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 宋紅賓 |
| 地址： | 621010 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高密度 碳化硅 材料 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.高密度層錯的碳化硅材料制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
第一步：選擇燒結(jié)碳化硅；
第二步：利用硅源對碳化硅材料進(jìn)行硅離子輻照；硅離子輻照條件為：輻照能量為500keV-5 MeV，輻照流強(qiáng)為1-10微安，輻照劑量為1-10×1015/cm2，室溫輻照；
第三步：退火處理；退火條件為：溫度為900-1200℃，保溫30分鐘，采用加熱棒升溫，自然降溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度層錯的碳化硅材料制備方法，其特征在于，第一步中的碳化硅為六方結(jié)構(gòu)，晶粒尺寸在4-10μm，致密度3.1g/cm3，六方結(jié)構(gòu)碳化硅相含量≥98%，雜質(zhì)含量控制在2%范圍。
3.高密度層錯的碳化硅材料，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法所得。
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