[發明專利]一種超薄晶圓的檢測方法和類普通晶圓在審
| 申請號： | 202110234639.6 | 申請日： | 2021-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN113066733A | 公開（公告）日： | 2021-07-02 |
| 發明（設計）人： | 傅郁曉;駢文勝;聞國濤;吳慶;李志成 | 申請（專利權）人： | 上海偉測半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海領洋專利代理事務所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 羅曉鵬 |
| 地址： | 200013 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超薄 檢測 方法 普通 | ||
1.一種超薄晶圓的檢測方法，其特征在于，其中所述超薄晶圓的檢測方法包括以下步驟：
(S1)提供一可導電的硬質載體，用以承載待檢測的超薄晶圓；
(S2)可電導通地貼合所述超薄晶圓于所述可導電的硬質載體所形成的承載面，以使所述可導電的硬質載體和所述超薄晶圓形成晶圓檢測設備可直接檢測的類普通晶圓，其中所述類普通晶圓的尺寸與普通晶圓的尺寸相同；和
(S3)通過晶圓檢測設備檢測轉送至所述晶圓檢測設備的所述類普通晶圓。
2.根據權利要求1所述超薄晶圓的檢測方法，其特征在于，在所述步驟(S3)之前，所述超薄晶圓的檢測方法包括以下步驟：
(S4)通過晶圓檢測設備的真空吸臂，吸取所述類普通晶圓，其中組成所述類普通晶圓上的所述可導電的硬質載體的所述承載面設置至少一環狀的負壓槽。
3.根據權利要求2所述超薄晶圓的檢測方法，其特征在于，所述可導電的硬質載體上設置至少兩個同心的所述負壓槽。
4.根據權利要求1至3中任一所述超薄晶圓的檢測方法，其特征在于，所述可導電的硬質載體被實施為裸露的晶圓。
5.根據權利要求4所述超薄晶圓的檢測方法，其特征在于，所述裸露的晶圓的被實施為由65猛鋼制成。
6.一種類普通晶圓，其特征在于，其中所述類普通晶圓包括：
一超薄晶圓；和
一可導電的硬質載體，所述超薄晶圓被可電導通地貼合所述可導電的硬質載體。
7.根據權利要求6所述類普通晶圓，其特征在于，所述可導電的硬質載體的所述承載面設置至少一環狀的負壓槽。
8.根據權利要求7所述類普通晶圓，其特征在于，所述可導電的硬質載體上設置至少兩個同心的所述負壓槽。
9.根據權利要求6至8中任一所述類普通晶圓，其特征在于，所述可導電的硬質載體被實施為裸露的晶圓。
10.根據權利要求9所述類普通晶圓，其特征在于，所述裸露的晶圓的被實施為由65猛鋼制成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
