[發明專利]一種單元隨機分布的全介質多帶太赫茲超材料吸收器

有效

• 申請號: 202110234078.X
• 申請日: 2021-03-03
• 公開（公告）號: CN113161760B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 王玥;崔子健;岳莉莎;朱永強;姚楠;李存霞;王馨梅
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00;G02B1/00;G02B5/00
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 燕肇琪

1.一種單元隨機分布的全介質多帶太赫茲超材料吸收器，包括襯底層（2）和結構層（1），其特征在于，所述襯底層（2）和結構層（1）為一體的高摻雜硅材料，所述結構層（1）上均勻劃分有若干網格（3），所述網格（3）內均設置有若干刻蝕單元（4），所述襯底層（2）厚度大于110μm，所述襯底層（2）厚度小于300μm，所述結構層（1）厚度與襯底層（2）厚度之比大于1/6小于1/2，所述刻蝕單元（4）的刻蝕面積與網格（3）面積之比大于1/20，所述刻蝕單元（4）的刻蝕面積與網格（3）面積之比小于1/2，所述刻蝕單元（4）在網格（3）內隨機分布，所述刻蝕單元（4）在網格（3）內不具備周期性，所述網格（3）不少于10個，所述網格（3）內的刻蝕單元（4）均相同，任一所述網格（3）內刻蝕單元（4）的幾何特征均相同，任一所述網格（3）內刻蝕單元（4）至少存在一部分刻蝕圖樣被劃分到相鄰的網格（3）中，任一所述網格（3）內不重疊、不緊貼地設置有若干刻蝕單元（4）。

2.如權利要求1所述的一種單元隨機分布的全介質多帶太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述刻蝕單元（4）為正方形刻蝕孔（5）、長方形刻蝕孔（6）、圓形刻蝕孔（7）、正三角形刻蝕孔（8）、不規則三角形刻蝕孔（9）、橢圓形刻蝕孔（10）的一種或多種。