[發明專利]半導體加工設備

在審

• 申請號: 202110232610.4
• 申請日: 2021-03-02
• 公開（公告）號: CN113053785A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 周厲穎;宋新豐;楊帥;光耀華
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 鄔劍星

1.一種半導體加工設備，包括反應腔室，其特征在于，所述半導體加工設備還包括門組件，所述門組件設置于所述反應腔室的設有排氣口的一端，所述反應腔室上設有用于阻礙工藝氣體泄露的密封腔，所述密封腔通過引入惰性氣體，以使所述密封腔內的氣體壓力大于所述反應腔室內的氣體壓力；所述排氣口用于排出所述反應腔室中通入的所述工藝氣體以及所述密封腔內的所述惰性氣體。

2.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，所述門組件包括支撐盤、基座和固定環，所述基座設于所述支撐盤上，所述固定環設于所述基座的外圍并將所述基座固定于所述支撐盤，所述固定環和所述基座之間存在第一縫隙；

所述密封腔包括第一密封腔，所述第一密封腔設置于所述基座與所述反應腔室接合的一側；

所述固定環設有進氣通道，且所述進氣通道與所述第一縫隙連通。

3.根據權利要求2所述的半導體加工設備，其特征在于，所述密封腔還包括第二密封腔，所述第二密封腔設置于所述基座與所述支撐盤接合的一側。

4.根據權利要求3所述的半導體加工設備，其特征在于，所述基座與所述反應腔室接合的一側開設有第一凹槽，所述反應腔室的腔體覆蓋所述第一凹槽并形成所述第一密封腔；

所述基座與所述支撐盤接合的一側開設有第二凹槽，所述支撐盤覆蓋所述第二凹槽并形成所述第二密封腔。

5.根據權利要求3所述的半導體加工設備，其特征在于，所述進氣通道沿第一方向貫穿所述固定環，且沿第二方向，所述進氣通道位于所述第一密封腔和第二密封腔之間，所述第一方向與所述第二方向垂直。

6.根據權利要求2所述的半導體加工設備，其特征在于，沿所述固定環的環形走向，所述固定環均勻分布有若干所述進氣通道。

7.根據權利要求2所述的半導體加工設備，其特征在于，所述門組件還包括安裝盤、驅動裝置和驅動軸，所述安裝盤固定于所述支撐盤背向所述反應腔室的一側；

所述密封腔還包括第三密封腔，所述第三密封腔位于所述安裝盤和所述支撐盤之間；

所述驅動裝置固定于所述安裝盤的遠離所述支撐盤的一側，所述驅動裝置與所述驅動軸連接，所述驅動軸依次穿過所述安裝盤、所述支撐盤和所述基座并伸入所述反應腔室內，且與承載硅片的組件連接，所述驅動軸與所述支撐盤和所述基座之間存在第二縫隙，所述第三密封腔通過所述第二縫隙與所述反應腔室連通。

8.根據權利要求7所述的半導體加工設備，其特征在于，所述安裝盤設有內腔，所述內腔和所述支撐盤圍成所述第三密封腔。

9.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，還包括進氣組件，所述進氣組件用于向所述密封腔傳輸所述惰性氣體，所述進氣組件上設有氣動閥、壓力表和流量控制器。

10.根據權利要求9所述的半導體加工設備，其特征在于，所述惰性氣體包括氮氣或氬氣，和/或所述工藝氣體包括氯化氫。