[發明專利]電吸收調制器的仿真方法、裝置、系統及計算機存儲介質

有效

• 申請號: 202110232346.4
• 申請日: 2021-03-03
• 公開（公告）號: CN112597735B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 劉星;李連城;鄭波;孫鼎;張偉;魏志堅;過開甲
• 申請（專利權）人: 深圳市迅特通信技術股份有限公司;江西迅特通信技術有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G06F30/394;G06F30/398
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 晏波

本發明公開了一種電吸收調制器的仿真方法、裝置、系統及計算機存儲介質，所述方法包括：通過預設仿真軟件擬合出電吸收調制器的小信號等效電路模型；根據預設偏置電流，測試所述電吸收調制器的P?V特性曲線，并根據所述P?V特性曲線得到所述電吸收調制器的非線性行為函數；根據所述小信號等效電路模型和所述非線性行為函數，對所述電吸收調制器進行仿真，得到所述電吸收調制器及其封裝對應的仿真數據。本發明對電吸收調制器進行仿真時，考慮電吸收調制器的非線性行為，可以更加準確且全面地評估電吸收調制器及其封裝后的高頻性能。

技術領域

本發明涉及光通信技術領域，尤其涉及電吸收調制器的仿真方法、裝置、系統及計算機存儲介質。

背景技術

近年來，隨著高速率長距離通信技術的發展，電吸收調制器（EAM，ElectroAbsorption Modulator）也得到了廣泛的應用。但在電吸收調制器封裝設計的同時，需要對電吸收調制器進行嚴格的高頻仿真。

常規的高頻仿真方法，都是分析電吸收調制器及其封裝的線性行為，但電吸收調制器都是工作在大信號激勵情況下的，無可避免地會產生非線性行為，因此，通過這些常規的高頻仿真方法，無法準確地評估電吸收調制器及其封裝后的高頻性能。

發明內容

本發明的主要目的在于提出一種電吸收調制器的仿真方法、裝置、系統及計算機存儲介質，旨在更加準確且全面地評估電吸收調制器及其封裝后的高頻性能。

為實現上述目的，本發明提供一種電吸收調制器的仿真方法，所述方法包括如下步驟：

通過預設仿真軟件擬合出電吸收調制器的小信號等效電路模型；

根據預設偏置電流，測試所述電吸收調制器的P-V特性曲線，并根據所述P-V特性曲線得到所述電吸收調制器的非線性行為函數；

根據所述小信號等效電路模型和所述非線性行為函數，對所述電吸收調制器及其封裝進行仿真，得到所述電吸收調制器及其封裝對應的仿真數據。

優選地，所述通過預設仿真軟件擬合出電吸收調制器的小信號等效電路模型的步驟包括：

測試所述電吸收調制器的光電S參數；

基于所述預設仿真軟件和所述光電S參數，擬合所述電吸收調制器的小信號等效電路模型。

優選地，所述基于所述預設仿真軟件和所述光電S參數，擬合所述電吸收調制器的小信號等效電路模型的步驟包括：

通過所述預設仿真軟件，搭建所述電吸收調制器的通用等效電路模型；

基于所述預設仿真軟件和所述光電S參數，對所述通用等效電路模型進行擬合處理，以擬合出所述電吸收調制器的小信號等效電路模型。

優選地，所根據預設偏置電流，測試所述電吸收調制器的P-V特性曲線的步驟包括：

基于至少三個預設偏置電流對所述電吸收調制器進行測試，得到所述電吸收調制器的P-V特性曲線。

優選地，所述根據所述小信號等效電路模型和所述非線性行為函數，對所述電吸收調制器及其封裝進行仿真，得到所述電吸收調制器及其封裝對應的仿真數據的步驟包括：

提取所述電吸收調制器的封裝S參數，并基于所述預設仿真軟件搭建所述電吸收調制器的仿真電路圖；

根據所述封裝S參數、所述小信號等效電路模型、所述非線性行為函數和所述仿真電路圖，對所述電吸收調制器及其封裝進行仿真，得到所述電吸收調制器及其封裝對應的仿真數據。

優選地，所述得到所述電吸收調制器及其封裝對應的仿真數據的步驟之后，還包括：

根據所述仿真數據對所述電吸收調制器進行性能評估，得到對應的評估結果；