[發明專利]陣列膜層、陣列膜層的制作方法和電子設備

有效

• 申請號: 202110231905.X
• 申請日: 2021-03-02
• 公開（公告）號: CN113035971B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 劉雪;李俊峰;陳發祥;張旭陽
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0232;H01L27/06
• 代理公司: 成都極刻智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 51310
• 代理人: 唐維虎

本申請提供的陣列膜層、陣列膜層的制作方法和電子設備，涉及電子器件技術領域。在本申請中，陣列膜層包括位于支撐膜層上的光反射層和位于光反射層遠離支撐膜層一側的半導體層，半導體層基于感光材料制作形成，用于形成晶體管陣列。光反射層用于阻礙從光反射層遠離半導體層的一側向半導體層傳輸的目標光進入半導體層。基于上述方法，可以改善現有的晶體管器件的電性性能。

技術領域

本申請涉及電子器件技術領域，具體而言，涉及一種陣列膜層、陣列膜層的制作方法和電子設備。

背景技術

電子器件(如顯示器件等)中一般會包括基于晶體管形成的晶體管陣列，因而，晶體管的電性性能直接影響著電子設備的電性性能。基于此，為了使得電子設備能夠向用戶提供較好的功能，需要晶體管陣列中具有較好電性性能的晶體管。但是，經發明人研究發現，在現有的晶體管陣列中，晶體管的電性性能仍有待改進。

發明內容

有鑒于此，本申請的目的在于提供一種陣列膜層、陣列膜層的制作方法和電子設備，以改善現有的晶體管器件的電性性能。

為實現上述目的，本申請實施例采用如下技術方案：

一種陣列膜層，包括：

位于支撐膜層上的光反射層；

位于所述光反射層遠離所述支撐膜層一側的半導體層，所述半導體層基于感光材料制作形成，用于形成晶體管陣列；

其中，所述光反射層用于阻礙從所述光反射層遠離所述半導體層的一側向所述半導體層傳輸的目標光進入所述半導體層。

在本申請實施例較佳的選擇中，在上述陣列膜層中，所述光反射層包括：

至少一層第一反射結構層，所述至少一層第一反射結構層位于所述半導體層靠近所述支撐膜層的一側；

至少一層第二反射結構層，所述至少一層第二反射結構層位于所述半導體層靠近所述支撐膜層的一側；

其中，所述第一反射結構層的折射率不同于所述第二反射結構層的折射率，形成分布式布拉格反射鏡結構。

在本申請實施例較佳的選擇中，在上述陣列膜層中，所述第一反射結構層和所述第二反射結構層分別基于不同的材料制作形成，且用于制作所述第一反射結構層和所述第二反射結構層的材料包括以下材料中的至少一種：

硅、硅的氧化物、硅的氮化物、鈦的氧化物、鈦的氮化物、鎢的氧化物、鎢的氮化物、鉬的氧化物、鉬的氮化物、鋁的氧化物、鋁的氮化物、鉭的氧化物和鉭的氮化物。

在本申請實施例較佳的選擇中，在上述陣列膜層中，還包括：

柵極金屬層，所述柵極金屬層位于所述半導體層遠離所述光反射層的一側，且所述柵極金屬層與所述半導體層用于形成所述晶體管陣列。

在本申請實施例較佳的選擇中，在上述陣列膜層中，還包括：

緩沖層，所述緩沖層位于所述半導體層的一側；

至少一層疊層結構，所述至少一層疊層結構位于所述緩沖層遠離所述半導體層的一側；

其中，每一層所述疊層結構包括阻隔層和柔性層，所述柔性層位于所述阻隔層遠離所述緩沖層的一側，在全部的柔性層中距離所述半導體層最遠的一層柔性層為第一柔性層，且所述光反射層位于所述半導體層和第一柔性層之間的任意兩層層狀結構之間。

在上述基礎上，本申請實施例還提供了一種陣列膜層的制作方法，用于制作形成上述的陣列膜層，所述制作方法包括：

制作形成位于支撐膜層上的光反射層；

在所述光反射層遠離所述支撐膜層的一側制作形成半導體層，所述半導體層基于感光材料制作形成，用于形成晶體管陣列；