[發明專利]一種太陽能光電幕墻及其制備方法有效
| 申請號: | 202110231699.2 | 申請日: | 2021-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN113062504B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發明(設計)人: | 繆清;陳守輝;蘇青梅;楊慧敏 | 申請(專利權)人: | 江蘇新源太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | E04B2/88 | 分類號: | E04B2/88;E04B1/92;B32B17/00;B32B17/10;B32B27/38;B32B27/18;B32B37/00 |
| 代理公司: | 北京華際知識產權代理有限公司 11676 | 代理人: | 李浩 |
| 地址: | 223100 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能 光電 幕墻 及其 制備 方法 | ||
1.一種太陽能光電幕墻,其特征在于:包括內層玻璃板、外層玻璃板和中空腔,所述中空腔設置于所述內層玻璃板和所述外層玻璃板之間,所述內層玻璃板和所述外層玻璃板外壁均做真空覆膜處理,真空覆膜的薄膜按照重量百分比計算包括:11.0~17.0%的淀粉、15.0~19.0%的去離子水、0.24~0.36%的納米硅粉、0.18~0.32%的納米氧化鑭、0.32~0.50%的磁性聚苯乙烯納米球、0.24~0.36%硅溶膠,其余為環氧樹脂。
2.根據權利要求1所述的一種太陽能光電幕墻,其特征在于:所述薄膜按照重量百分比計算包括:11.0%的淀粉、15.0%的去離子水、0.24%的納米硅粉、0.18%的納米氧化鑭、0.32%的磁性聚苯乙烯納米球、0.24%硅溶膠,其余為環氧樹脂。
3.根據權利要求1所述的一種太陽能光電幕墻,其特征在于:所述薄膜按照重量百分比計算包括:17.0%的淀粉、19.0%的去離子水、0.36%的納米硅粉、0.32%的納米氧化鑭、0.50%的磁性聚苯乙烯納米球、0.36%硅溶膠,其余為環氧樹脂。
4.根據權利要求1所述的一種太陽能光電幕墻,其特征在于:所述薄膜按照重量百分比計算包括:14.0%的淀粉、17.0%的去離子水、0.30%的納米硅粉、0.25%的納米氧化鑭、0.41%的磁性聚苯乙烯納米球、0.30%硅溶膠,其余為環氧樹脂。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的一種太陽能光電幕墻的制備方法,其特征在于:具體制備步驟如下:
步驟一:按照上述重量百分比稱取淀粉、去離子水、納米硅粉、納米氧化鑭、磁性聚苯乙烯納米球、硅溶膠和環氧樹脂;
步驟二:將步驟一中的納米硅粉與五分之一重量份的淀粉、去離子水和環氧樹脂混合處理后進行超聲波振蕩分散處理20~30min,得到復合基料A;
步驟三:將步驟一中的納米氧化鑭與五分之一重量份的淀粉、去離子水和環氧樹脂混合處理后進行超聲波振蕩分散處理20~30min,得到復合基料B;
步驟四:將步驟一中的磁性聚苯乙烯納米球與五分之一重量份的淀粉、去離子水和環氧樹脂混合處理后進行超聲波振蕩分散處理20~30min,得到復合基料C;
步驟五:將步驟一中的硅溶膠與五分之一重量份的淀粉、去離子水和環氧樹脂混合處理后進行超聲波振蕩分散處理20~30min,得到復合基料D;
步驟六:將步驟二中制得的復合基料A、步驟三中制得的復合基料B、步驟四中制備的復合基料C和步驟五中制得的復合基料D進行機械混合并進行超聲波振蕩分散處理50~60min,得到復合基料E;
步驟七:將步驟一中剩余的淀粉、去離子水和環氧樹脂與復合基料E
步驟八:將步驟七中制得的薄膜基料等分兩份,得到薄膜基料a和薄膜基料b,使用流延法將薄膜基料a制成薄膜;
步驟九:采用真空等離子噴涂技術將步驟八中的薄膜基料b噴涂在所述內層玻璃板和所述外層玻璃板外壁,在所述內層玻璃板和所述外層玻璃板外壁完成第一層真空覆膜處理,第一層真空覆膜處理完成之后,將步驟八中制得的薄膜真空貼敷在所述內層玻璃板和所述外層玻璃板外壁,在所述內層玻璃板和所述外層玻璃板外壁完成第二層真空覆膜處理,得到真空覆膜處理的內層玻璃板和外層玻璃板,然后將太陽能組件安裝在中空腔內部,最后將內層玻璃板和外層玻璃板依次安裝在太陽組件外側,得到太陽能光電幕墻。
6.根據權利要求5所述的一種太陽能光電幕墻的制備方法,其特征在于:在步驟二、步驟三、步驟四和步驟五中超聲波振蕩分散處理同時進行加熱處理,加熱溫度為40~50℃。
7.根據權利要求6所述的一種太陽能光電幕墻的制備方法,其特征在于:在步驟六和步驟七中超聲波振蕩分散處理同時進行加熱處理,加熱溫度為50~60℃。
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