[發明專利]金屬對金屬電容器有效
| 申請號: | 202110231661.5 | 申請日: | 2019-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN113013145B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發明(設計)人: | Y·C·A·付;M·克拉瑪特;V·斯里尼瓦斯 | 申請(專利權)人: | 蘋果公司 |
| 主分類號: | H01L23/64 | 分類號: | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 李興斌 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 電容器 | ||
1.一種電容器結構,包括:
電容器晶胞的陣列,以多行電容器晶胞和多列電容器晶胞布置;
其中所述電容器晶胞的陣列中的每個電容器晶胞包括下金屬層和上金屬層,所述下金屬層包括與第二多個指狀電極叉指的第一多個指狀電極,所述上金屬層包括與第四多個指狀電極叉指的第三多個指狀電極;以及
其中所述電容器晶胞的陣列包括多個電容器主晶胞以及多個電容器子晶胞,每個電容器主晶胞具有電容值,每個電容器子晶胞具有所述電容值的對應子電容值,每個電容器主晶胞和每個電容器子晶胞通過所述下金屬層和所述上金屬層之間近似相等的通孔密度來表征。
2.根據權利要求1所述的電容器結構,其中所述第一多個指狀電極和所述第二多個指狀電極正交于所述第三多個指狀電極和所述第四多個指狀電極。
3.根據權利要求2所述的電容器結構,其中所述第一多個指狀電極和所述第二多個指狀電極跨所述電容器晶胞的陣列間距匹配。
4.根據權利要求3所述的電容器結構,其中所述第三多個指狀電極和所述第四多個指狀電極跨所述電容器晶胞的陣列間距匹配。
5.根據權利要求4所述的電容器結構,進一步包括延伸穿過所述多行電容器晶胞的多行公共軌道。
6.根據權利要求5所述的電容器結構,進一步包括延伸穿過所述多列電容器晶胞的多列公共軌道。
7.根據權利要求6所述的電容器結構,進一步包括電耦合到所述多行公共軌道的公共端子互連。
8.根據權利要求7所述的電容器結構,其中所述公共端子互連被連接到比較器輸入。
9.根據權利要求8所述的電容器結構,其中所述多列公共軌道被連接到對應的多個數字邏輯位節點。
10.根據權利要求8所述的電容器結構,其中:
所述電容器晶胞的陣列是數模轉換器(DAC)的部分;以及
延伸穿過一列電容器晶胞的每個公共軌道被耦合到對應的數字邏輯位節點,并且延伸穿過一行電容器晶胞的每個公共軌道被耦合到浮動節點。
11.根據權利要求10所述的電容器結構,其中每個晶胞包括所述第一多個指狀電極和所述第二多個指狀電極的奇數個總指狀電極。
12.根據權利要求11所述的電容器結構,其中所述奇數個總指狀電極包括兩個外側指狀電極,其中所述外側指狀電極沒有被耦合到所述浮動節點。
13.根據權利要求12所述的電容器結構,其中所述外側指狀電極被耦合到數字邏輯位節點或地。
14.根據權利要求1所述的電容器結構,還包括:
多行公共軌道,延伸穿過所述多行電容器晶胞并且與所述第一多個指狀電極的一部分電耦合;
多列公共軌道,延伸穿過所述多列電容器晶胞并且與所述第二多個指狀電極的一部分電耦合;
其中延伸穿過一列電容器晶胞的每個公共軌道被耦合到對應的數字邏輯位節點,并且延伸穿過一行電容器晶胞的每個公共軌道被耦合到浮動節點。
15.根據權利要求14所述的電容器結構,其中每個晶胞包括所述第一多個指狀電極和所述第二多個指狀電極的奇數個合計指狀電極。
16.根據權利要求15所述的電容器結構,其中所述奇數個合計指狀電極包括兩個外側指狀電極,其中所述外側指狀電極沒有被耦合到所述浮動節點。
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