[發明專利]一種頁緩沖器、場效應晶體管及三維存儲器

有效

• 申請號: 202110231575.4
• 申請日: 2021-03-02
• 公開（公告）號: CN112864162B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 陳亮;甘程
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高天華;張穎玲

1.一種頁緩沖器，其特征在于，應用于三維存儲器，所述頁緩沖器包括：至少兩個晶體管單元；

每一所述晶體管單元包括至少一個場效應晶體管，每一所述場效應晶體管至少包括溝道區以及覆蓋所述溝道區的柵極；

所述柵極的第一端具有一外延區域，所述外延區域的尺寸大于所述柵極第二端所對應的延伸區域的尺寸，其中，所述第一端和所述第二端分別為所述柵極的相對的兩端，所述外延區域為所述柵極的第一端延伸出所述溝道區的區域；

所述外延區域用于連接接觸孔，所述接觸孔中填充有金屬線，所述金屬線用于向所述柵極提供電壓，以導通所述場效應晶體管；

其中，同一所述晶體管單元中的相鄰兩個所述外延區域位于所述晶體管單元中的柵極的不同側；位于不同的晶體管單元中且相鄰的兩個所述外延區域，每一所述外延區域相對于自身所在的晶體管單元中的柵極的位置相同。

2.根據權利要求1所述的頁緩沖器，其特征在于，所述頁緩沖器位于所述三維存儲器的外圍電路中，所述頁緩沖器的每一所述晶體管單元通過位線與所述三維存儲器的存儲單元陣列耦接；

所述頁緩沖器用于在所述場效應晶體管導通時，通過所述位線，將數據寫入所述存儲單元陣列，或者，讀取所述存儲單元陣列中的數據。

3.根據權利要求1所述的頁緩沖器，其特征在于，所述場效應晶體管包括鞍形鰭式場效應晶體管。

4.根據權利要求1所述的頁緩沖器，其特征在于，所述延伸區域為所述柵極的第二端延伸出所述溝道區的區域，所述延伸區域的尺寸包括所述延伸區域在第一方向上的第一長度和所述延伸區域在第二方向上的第二長度；

所述外延區域的尺寸包括所述外延區域在所述第一方向上的第三長度和所述外延區域在所述第二方向上的第四長度；所述第一方向與所述第二方向垂直，所述第一方向與所述第二方向構成的平面垂直于所述接觸孔的延伸方向；

其中，所述第三長度大于所述第一長度，且所述第四長度大于所述第二長度。

5.根據權利要求1所述的頁緩沖器，其特征在于，所述接觸孔與所述外延區域的重疊區域，位于所述外延區域的中心。

6.根據權利要求4所述的頁緩沖器，其特征在于，所述接觸孔包括圓形孔；

所述圓形孔的直徑小于所述第三長度且小于所述第四長度，且所述圓形孔的直徑與所述溝道區長度之間的差值小于第一預設差值。

7.根據權利要求4所述的頁緩沖器，其特征在于，所述接觸孔包括多邊形孔；

所述多邊形孔在所述第一方向的長度小于所述第三長度，且所述多邊形孔在所述第二方向的長度小于所述第四長度；

所述多邊形孔在所述第二方向上的長度與所述溝道區長度之間的差值小于第二預設差值。

8.根據權利要求1所述的頁緩沖器，其特征在于，每一所述場效應晶體管還包括位于所述溝道區兩側的源區和漏區；所述源區和所述漏區分別連接一個所述接觸孔；

其中，位于所述源區、所述漏區和所述外延區域上的所述接觸孔交錯排列。

9.根據權利要求8所述的頁緩沖器，其特征在于，位于同一場效應晶體管中的相鄰兩個所述接觸孔之間具有第一預設距離或第二預設距離；

其中，所述第一預設距離包括兩個所述接觸孔在所述第一方向上的距離和兩個所述接觸孔在所述第二方向上的距離；

所述第二預設距離包括兩個所述接觸孔在所述第一方向上的距離和兩個所述接觸孔在所述第二方向上的距離。

10.根據權利要求1所述的頁緩沖器，其特征在于，不同的晶體管單元中，任意相鄰的兩個場效應晶體管的柵極之間的距離大于第三預設距離。

11.一種三維存儲器，其特征在于，至少包括：存儲單元陣列以及上述權利要求1至10任一項所提供的頁緩沖器；

所述頁緩沖器通過位線與所述存儲單元陣列耦接，所述頁緩沖器用于向所述存儲單元陣列傳輸數據或從所述存儲單元陣列中讀取數據。