[發明專利]一種磁屏蔽腔體、測量系統及測量方法

在審

• 申請號: 202110231530.7
• 申請日: 2021-03-02
• 公開（公告）號: CN112858963A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 陳宛;孫獻靜;陸輝華
• 申請（專利權）人: 中國科學院高能物理研究所
• 主分類號: G01R33/07
• 分類號: G01R33/07;G01R33/00
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 趙新龍;袁禮君

1.一種磁屏蔽腔體，用于形成零磁場環境，其特征在于，所述磁屏蔽腔體包括：

內腔體，具有第一開口；

外腔體，具有第二開口；所述外腔體包覆于所述內腔體的外部，且所述第二開口對應于所述第一開口；

第一延伸板，連接于所述第二開口的邊緣，并向外部延伸；以及

第二延伸板，連接于所述第二開口的邊緣，并與所述第一延伸板相對設置，且向外部延伸；所述第一延伸板和所述第二延伸板之間形成一平移通道；

其中，外界物體能夠通過一次平移運動依次穿過所述平移通道、所述第二開口和所述第一開口而進入所述內腔體內部。

2.根據權利要求1所述的磁屏蔽腔體，其特征在于，所述外界物體為霍爾傳感器；

其中，沿著與所述平移運動的方向相反的方向移動所述霍爾傳感器，所述霍爾傳感器能夠從所述內腔體移出，以測量被測磁鐵的磁場強度。

3.根據權利要求1所述的磁屏蔽腔體，其特征在于，所述內腔體和所述外腔體均為圓柱型結構。

4.根據權利要求3所述的磁屏蔽腔體，其特征在于，所述內腔體包括內側壁、連接于所述內側壁一端的內頂壁和連接于所述內側壁另一端的內底壁；

所述第一開口包括第一子開口和第二子開口，所述第一子開口設于所述內側壁，所述第二子開口設于所述內底壁，所述第一子開口與所述第二子開口相連通。

5.根據權利要求4所述的磁屏蔽腔體，其特征在于，所述第一子開口沿著所述內腔體的軸向方向設置，所述第二子開口沿著所述內腔體的徑向方向設置。

6.根據權利要求5所述的磁屏蔽腔體，其特征在于，所述第一子開口的長度大于所述內側壁高度的一半，以使所述外界物體能夠移動至所述內腔體的沿軸向方向的中心。

7.根據權利要求5所述的磁屏蔽腔體，其特征在于，所述第二子開口的長度大于所述內底壁的半徑，以使所述外界物體能夠移動至所述內腔體的沿徑向方向的中心。

8.根據權利要求4所述的磁屏蔽腔體，其特征在于，所述外腔體包括外側壁、連接于所述外側壁一端的外頂壁和連接于所述外側壁另一端的外底壁；

所述第二開口包括第三子開口和第四子開口，所述第三子開口設于所述外側壁，且與所述第一子開口對應設置，所述第四子開口設于所述外底壁，且與所述第二子開口對應設置；所述第三子開口和所述第四子開口相連通。

9.一種測量系統，用于檢測霍爾傳感器的偏置電壓以及測量被測磁鐵的磁場強度，其特征在于，所述測量系統包括：

被測磁鐵；

如權利要求1至8任一項所述的磁屏蔽腔體；所述磁屏蔽腔體的至少部分第一開口和至少部分第二開口均朝向所述被測磁鐵；以及

運動平臺，用于驅動所述霍爾傳感器產生平移運動，以使所述霍爾傳感器能夠進出所述磁屏蔽腔體。

10.一種測量方法，用于檢測霍爾傳感器的偏置電壓以及測量被測磁鐵的磁場強度，其特征在于，所述測量方法包括以下步驟：

提供被測磁鐵和霍爾傳感器，所述霍爾傳感器位于所述被測磁鐵的中心線上；

提供如權利要求1至8任一項所述的磁屏蔽腔體，所述磁屏蔽腔體位于所述被測磁鐵的中心線上，且所述磁屏蔽腔體的至少部分第一開口和至少部分第二開口朝向所述被測磁鐵；

驅動所述霍爾傳感器產生平移運動，以使所述霍爾傳感器通過所述磁屏蔽腔體的平移通道、第二開口和第一開口能夠進出所述磁屏蔽腔體；

其中，當所述霍爾傳感器位于所述磁屏蔽腔體的內部時，獲得所述霍爾傳感器的偏置電壓；

當所述霍爾傳感器位于所述磁屏蔽腔體的外部時，利用所述霍爾傳感器，測量所述被測磁鐵的磁場強度。