[發明專利]導電結構的制作方法、導電結構及機臺設備

有效

• 申請號: 202110230882.0
• 申請日: 2021-03-02
• 公開（公告）號: CN113097129B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 王永平;張育龍;黃馳;曾海;武素衡;李遠
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/67;H01L23/538
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 岳丹丹

1.一種導電結構的制作方法，其特征在于，包括：

在晶圓上待填充的導孔和/或溝槽內表面沉積籽晶層；

將所述晶圓抬升到位，采用頂針將所述晶圓置于熱源處，所述頂針支撐所述晶圓，使得所述晶圓與承載臺分離；

對所述晶圓的上表面和下表面進行加熱，使所述籽晶層回流，以去除所述待填充的導孔和/或溝槽豁口處及側壁的懸垂凸起結構；

將所述晶圓下降到位，降低所述頂針高度，使所述承載臺與所述晶圓的背面相接觸，對所述晶圓進行冷卻，使所述籽晶層固化；

其中，采用雙熱源分別從所述晶圓的上表面和下表面為所述晶圓進行非接觸式加熱；

所述熱源包括加熱燈、等離子發生器以及通氣管路中的至少兩種，所述等離子發生器和/或所述通氣管路與所述晶圓的表面間具有預設的夾角，使等離子體和/或氣體的氣流以預設的角度與所述晶圓表面相接觸。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括在所述籽晶層固化后在所述籽晶層表面沉積金屬，以填充所述待填充的導孔和/或溝槽，形成導電結構。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在對晶圓進行加熱時，承載所述晶圓的頂針帶動所述晶圓旋轉。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述晶圓的旋轉速度為3-6r/min。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通氣管路向所述晶圓所在腔室中通入具有一定溫度的氣體從而對所述晶圓進行加熱。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述氣體包括氮氣、氦氣、氬氣中的至少一種。

7.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述籽晶層和/或所述金屬包括金、銀、銅中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，對晶圓進行加熱的加熱溫度包括200-400℃。

9.一種導電結構，其特征在于，所述導電結構采用如權利要求1至8中任一項所述的方法制作而成。

10.一種機臺設備，其特征在于，所述機臺設備用于執行如權利要求1至8中任一項所述的方法。