[發明專利]顯示裝置及制造顯示裝置的方法在審
| 申請號: | 202110230807.4 | 申請日: | 2021-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN113345937A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 金是廣;高敏碩;徐甲鍾;梁容薰 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉美華;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基底;
第一電極,位于所述基底上;
第二電極,位于所述基底上,并且與所述第一電極間隔開;
多個發光元件,所述多個發光元件中的每個的至少一部分位于所述第一電極與所述第二電極之間;以及
接觸電極,位于所述第一電極、所述第二電極和所述多個發光元件上,所述接觸電極包括導電聚合物,
其中,所述接觸電極包括第一接觸電極和第二接觸電極,所述第一接觸電極接觸所述多個發光元件中的第一部分中的每個的端部和所述第一電極,所述第二接觸電極接觸所述多個發光元件中的第二部分中的每個的端部和所述第二電極,并且
其中,所述第二接觸電極與所述第一接觸電極間隔開。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述導電聚合物包括聚(3,4-乙撐二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸鹽。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述接觸電極中的每個的所述導電聚合物形成聚合物基質,并且銀顆粒分散在所述聚合物基質中。
4.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述接觸電極中的每個包括多個層,所述多個層均包括所述導電聚合物。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述接觸電極中的每個的厚度在150nm至250nm的范圍內。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一接觸電極和所述第二接觸電極在所述多個發光元件上彼此間隔開。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一接觸電極的寬度大于所述第一電極的寬度。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括位于所述第一電極與所述第二電極之間的第三電極,
其中,所述多個發光元件中的所述第一部分位于所述第一電極與所述第三電極之間,并且所述多個發光元件中的所述第二部分位于所述第三電極與所述第二電極之間。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述接觸電極還包括位于所述第三電極上的第三接觸電極,所述第三接觸電極接觸每個發光元件的至少一個端部。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括位于所述基底上的多個第一堤,
其中,所述第一電極位于所述多個第一堤中的一個上,并且所述第二電極位于所述多個第一堤中的另外一個上,并且
其中,所述多個發光元件位于所述多個第一堤之間。
11.根據權利要求10所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括第一絕緣層,所述第一絕緣層位于所述基底上并且在所述第一電極與所述第二電極之間以部分地覆蓋所述第一電極和所述第二電極,
其中,所述多個發光元件位于所述第一絕緣層上。
12.根據權利要求11所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括第二絕緣層,所述第二絕緣層位于所述基底上并且覆蓋所述第一電極、所述第二電極、所述多個發光元件和所述接觸電極。
13.根據權利要求12所述的顯示裝置,其中,所述第二絕緣層直接接觸每個發光元件的外表面的位于所述第一接觸電極與所述第二接觸電極之間的一部分。
14.根據權利要求12所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括第二堤,所述第二堤在所述基底上圍繞定位有所述多個發光元件的區域,
其中,所述第二絕緣層也位于所述第二堤上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





