[發(fā)明專利]光掩模坯在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110229575.0 | 申請日: | 2015-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN112946992A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 深谷創(chuàng)一;稻月判臣 | 申請(專利權(quán))人: | 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號: | G03F1/20 | 分類號: | G03F1/20;G03F1/50;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 何楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光掩模坯 | ||
1.一種適于制備光掩模的光掩模坯的制造方法,所述光掩膜用于20nm以下結(jié)點(diǎn)的光刻法,
該光掩模坯包括石英基板和在該石英基板上形成的鉻系材料膜,該鉻系材料膜為遮光膜并具有對應(yīng)于50nm以下的翹曲量的拉伸應(yīng)力或壓縮應(yīng)力,其中該制造方法包括如下步驟:
通過使用鉻靶和惰性氣體與反應(yīng)氣體作為濺射氣體在所述反應(yīng)氣體與所述惰性氣體的流量比為1~2的條件下進(jìn)行濺射,從而在具有152mm見方尺寸和6.35mm厚度的石英基板上形成具有至少0.050/nm的在波長193nm下的每單位膜厚度的光學(xué)密度的鉻系材料膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其中該翹曲量為30nm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其中每單位膜厚度的光學(xué)密度為至少0.054/nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其中該鉻系材料膜具有4nm-50nm的范圍內(nèi)的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其中該鉻系材料膜含有選自氮、氧、碳和氫中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其中該鉻系材料膜為CrN膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的制造方法,其中該CrN膜具有70-90原子%的鉻含量和10-30原子%的氮含量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其中該鉻系材料膜為單層膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其中該鉻系材料膜為多層膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其中所述反應(yīng)氣體與所述惰性氣體的流量比為1~1.5。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其中進(jìn)一步包含如下步驟:
在至少150℃的溫度下對該鉻系材料膜熱處理至少10分鐘。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的制造方法,其中該熱處理的溫度為300℃以下。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





