[發明專利]半導體封裝裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202110228457.8
• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN113035828A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 呂文隆
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

1.一種半導體封裝裝置，包括：

橋接層，包括至少兩個水平間隔放置的橋接芯片，所述橋接芯片包括芯片和覆蓋在芯片上的介電層，所述橋接芯片兩側部呈間隔設置的凸部和凹部，所述橋接芯片的凸部和凹部側表面為斜面，相鄰兩橋接芯片之間形成上寬下窄的容置腔體；

功能芯片，至少部分嵌設于所述容置腔體內，所述功能芯片包括絕緣隔離層和置于所述絕緣隔離層內的芯片，所述功能芯片兩側部呈間隔設置的凸部和凹部，所述功能芯片的凸部和凹部側表面為斜面，所述功能芯片的凸部和凹部分別對應卡合所述功能芯片所嵌設于的容置腔體兩側橋接芯片側部的凹部和凸部；

保護層，設置于所述功能芯片上且覆蓋所述功能芯片。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中，所述橋接芯片的凸部和凹部的縱向截面中除介電層部分為上邊長小于下邊長的梯形。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中，所述功能芯片嵌入所述容置腔體部分的垂直高度小于各所述橋接芯片高度的最小值。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中，所述半導體封裝裝置包括至少兩個設于所述容置腔體內的所述功能芯片，所述至少兩個功能芯片包括分別設置于所述橋接芯片兩側的第一功能芯片和第二功能芯片，所述第一功能芯片和所述第二功能芯片通過所述橋接芯片電連接。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝裝置，其中，所述第一功能芯片和所述第二功能芯片的絕緣隔離層外表面分別設置有電連接所述第一功能芯片中芯片和所述第二功能芯片中芯片的第一導線和第二導線，所述橋接芯片的介電層外表面設置有電連接所述橋接芯片中芯片的橋接導線，所述橋接導線分別接觸所述第一導線和所述第二導線以實現所述第一功能芯片電連接所述第二功能芯片。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝裝置，其中，所述第一導線包括接觸所述第一功能芯片的絕緣隔離層的種子層和接觸種子層的金屬層，所述第二導線包括接觸所述第二功能芯片的絕緣隔離層的種子層和接觸種子層的金屬層，所述橋接導線包括接觸所述橋接芯片的介電層的種子層和接觸種子層的金屬層。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中，所述容置腔體與所述功能芯片底部之間填充有底部填充劑。

8.根據權利要求4所述的半導體封裝裝置，其中，所述半導體封裝裝置還包括：

襯底，設置于所述橋接層下方。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝裝置，其中，所述第一功能芯片和第二功能芯片通過所述第一功能芯片和所述第二功能芯片底部設置的焊球、導電孔以及所述襯底中設置的導線實現電連接。

10.根據權利要求4所述的半導體封裝裝置，其中，所述橋接層上還設置有第二電子組件，所述橋接層還包括第三電子組件，所述第二電子組件電連接所述第一功能芯片，所述第三電子組件電連接所述第二功能芯片。