[發(fā)明專利]射頻模組系統(tǒng)級封裝結構及其制作方法和電子設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110228132.X
• 申請日: 2021-03-01
• 公開（公告）號: CN113035855B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發(fā)明（設計）人: 陸春榮
• 申請（專利權）人: 青島歌爾智能傳感器有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/552;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種射頻模組系統(tǒng)級封裝結構，其特征在于，所述射頻模組系統(tǒng)級封裝結構包括：

基板，所述基板具有第一表面；

濾波器芯片，所述濾波器芯片設于所述第一表面，并與所述第一表面之間形成有第一空隙；

被動元件，所述被動元件設于所述第一表面，并與所述濾波器芯片間隔設置；

柔性塑封膜，所述柔性塑封膜貼設于所述第一表面、所述濾波器芯片及所述被動元件的表面，并與所述濾波器芯片圍合形成第一空腔；及

塑封層，所述塑封層覆蓋所述柔性塑封膜；

其中，所述柔性塑封膜的模量小于所述塑封層的模量，且所述柔性塑封膜用于吸收所述塑封層的壓力。

2.如權利要求1所述的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構，其特征在于，所述柔性塑封膜的材質為半固態(tài)樹脂；和/或，

所述柔性塑封膜的厚度為40μm～50μm。

3.如權利要求1所述的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構，其特征在于，所述第一空隙的數(shù)值范圍為20μm～40μm。

4.如權利要求1所述的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構，其特征在于，還包括放大器芯片和/或轉換器芯片，所述放大器芯片和/或所述轉換器芯片設于所述第一表面與所述塑封層之間，并分別與所述濾波器芯片和被動元件間隔設置。

5.如權利要求4所述的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構，其特征在于，所述第一表面設有第一錫膏球，所述柔性塑封膜開設有裸露所述第一錫膏球的避讓孔，所述放大器芯片和/或轉換器芯片通過所述避讓孔與所述第一錫膏球固定連接。

6.如權利要求1至5中任一項所述的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構，其特征在于，所述基板包括本體和設于所述本體表面的阻焊層，所述本體內部形成有內部線路，所述內部線路連接有若干第二錫膏球，所述第二錫膏球裸露于所述阻焊層，用于與所述濾波器芯片和被動元件連接。

7.如權利要求6所述的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構，其特征在于，所述射頻模組系統(tǒng)級封裝結構還包括屏蔽層，所述屏蔽層覆蓋于所述塑封層的表面。

8.如權利要求6所述的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構，其特征在于，所述基板還包括與所述第一表面相對設置的第二表面，所述第二表面設有外接焊盤。

9.一種電子設備，其特征在于，包括殼體和設于所述殼體內的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構，所述射頻模組系統(tǒng)級封裝結構為如權利要求1-8中任一項所述的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構。

10.一種射頻模組系統(tǒng)級封裝結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板，預先在所述基板的第一表面印刷若干間隔的錫膏球；

將濾波器芯片貼設于所述錫膏球中的至少一個，所述濾波器芯片與所述第一表面形成第一空隙；

對所述第一表面進行薄膜塑封，形成覆蓋所述第一表面和濾波器芯片的柔性塑封膜，所述柔性塑封膜、濾波器芯片及第一表面圍合形成第一空腔；

對所述柔性塑封膜進行開槽，裸露出未連接的錫膏球，將被動元件貼裝于所述基板上；

進行第二次塑封，形成覆蓋所述柔性塑封膜和所述被動元件的塑封層；

其中，所述柔性塑封膜的模量小于所述塑封層的模量，且所述柔性塑封膜用于吸收所述塑封層的壓力。

11.如權利要求10所述的射頻模組系統(tǒng)級封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述進行第二次塑封，形成覆蓋所述柔性塑封膜和所述被動元件的塑封層的步驟之后，還包括：

進行金屬濺鍍，形成覆蓋所述塑封層的屏蔽層。