[發明專利]MEMS傳感器及電子設備

有效

• 申請號: 202110227554.5
• 申請日: 2021-03-01
• 公開（公告）號: CN112995871B
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 周汪洋;鄒泉波;冷群文;安琪;趙海輪;丁凱文;周良
• 申請（專利權）人: 歌爾微電子股份有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;H04R31/00
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種MEMS傳感器，其特征在于，包括：

振膜層，所述振膜層包括固定部以及與所述固定部分離并可相對所述固定部振動的敏感部，所述固定部靠近所述敏感部的一邊設有鋸齒狀的固定凸緣，所述敏感部靠近所述固定部的一邊設有鋸齒狀的敏感凸緣，所述敏感凸緣和所述固定凸緣適配；

檢測件，所述檢測件包括依次連接的第一磁阻單元和第二磁阻單元，所述第一磁阻單元和所述第二磁阻單元沿所述固定凸緣排列設置，所述第一磁阻單元的長軸方向和所述第二磁阻單元的長軸方向呈夾角設置，且所述夾角小于180°；

導線，所述導線設于所述檢測件的一側，所述導線部沿所述敏感凸緣延伸設置，且所述導線的延伸方向與所述第一磁阻單元和所述第二磁阻單元的排列方向平行，所述導線通入電流以產生磁場；

其中，所述檢測件和所述導線二者中，其一固定設于所述固定部上，另一固定設于所述敏感部上，所述第一磁阻單元的參考層的磁化方向垂直于所述第一磁阻單元的長軸方向且朝向所述導線，所述第二磁阻單元的參考層的磁化方向垂直于所述第二磁阻單元的長軸方向且背向所述導線。

2.如權利要求1所述的MEMS傳感器，其特征在于，所述檢測件包括至少兩個所述第一磁阻單元和兩個所述第二磁阻單元，且所述第一磁阻單元和所述第二磁阻單元交替排列并連接，以構成至少一個惠斯通電橋。

3.如權利要求1所述的MEMS傳感器，其特征在于，所述MEMS傳感器還包括：

襯底，所述固定部的底面與所述襯底貼合固定，所述敏感部遠離所述固定部的一端與所述襯底固定連接，所述襯底上開設有開槽，所述敏感部靠近所述固定部的一端可在所述開槽內相對所述固定部振動。

4.如權利要求3所述的MEMS傳感器，其特征在于，所述襯底和所述振膜層之間還設有絕緣層。

5.如權利要求4所述的MEMS傳感器，其特征在于，所述檢測件設于所述固定部上，所述導線設于所述敏感部上；

所述固定部上設有第一保護層，且所述第一保護層覆蓋所述檢測件；所述敏感部上設有第二保護層，且所述第二保護層覆蓋所述導線。

6.如權利要求5所述的MEMS傳感器，其特征在于，所述固定部上設有第一引線，所述第一保護層上設有第一焊盤，所述第一引線將所述第一磁阻單元以及所述第二磁阻單元與所述第一焊盤連接；

所述敏感部上設有第二引線，所述第二保護層上設有第二焊盤，所述第二引線將所述導線與所述第二焊盤連接。

7.如權利要求1所述的MEMS傳感器，其特征在于，所述第一磁阻單元的長軸方向和所述第二磁阻單元的長軸方向之間的夾角為80°至100°。

8.如權利要求1至7中任一項所述的MEMS傳感器，其特征在于，所述MEMS傳感器為MEMS壓力傳感器、MEMS氣體傳感器、MEMS麥克風、MEMS溫度傳感器、MEMS濕度傳感器或者MEMS位移傳感器。

9.一種電子設備，其特征在于，包括：殼體，以及如權利要求1至8中任一項所述的MEMS傳感器，所述MEMS傳感器設于所述殼體上或者所述殼體內。