[發明專利]清潔系統

在審

• 申請號: 202110226125.6
• 申請日: 2021-03-01
• 公開（公告）號: CN113206026A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 陳思孜;黃俊程;蔡亞庭;陳盈淙;陳科維
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B08B1/00;B08B3/02;B08B3/12
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

一種清潔系統，包括至少一清潔模塊，配置以在一化學機械研磨(CMP)制程之后接收一基板，并且使用一清潔溶液去除在基板上的多個污染物。清潔系統還包括一清潔溶液供給系統，配置以將清潔溶液供給到至少一清潔模塊。清潔溶液供給系統包括至少一溫度控制系統。至少一溫度控制系統包括：一加熱裝置，配置以加熱清潔溶液、一冷卻裝置，配置以冷卻清潔溶液、一溫度感應器，配置以監測清潔溶液的一溫度、以及一溫度控制器，配置以控制加熱裝置及冷卻裝置。

技術領域

本公開涉及清潔系統，特別是涉及用于化學機械研磨的清潔系統。

背景技術

化學機械研磨(Chemical mechanical polishing，CMP)廣泛用于集成電路的制造。由于集成電路在基板(例如，半導體晶圓)的表面上逐層建構，化學機械研磨制程被用于平坦化最上層或層，以提供用于隨后的制造步驟的平面表面。當將包含研磨性顆粒和反應性化學品的漿料施加到研磨墊上時，借由抵靠研磨墊而研磨基板表面，來執行化學機械研磨制程。研磨墊與基板的相對運動結合漿料中的反應性化學品允許化學機械研磨制程借由物理和化學力來平坦化基板表面。化學機械研磨是實現先進集成電路的整體晶圓平坦化的有效方法。

發明內容

根據本公開一些實施例，提供一種清潔系統，包括至少一清潔模塊、以及一清潔溶液供給系統。至少一清潔模塊配置以在一化學機械研磨(CMP)制程之后接收一基板，并且使用一清潔溶液去除在基板上的多個污染物。潔溶液供給系統配置以將清潔溶液供給到至少一清潔模塊。清潔溶液供給系統包括至少一溫度控制系統。至少一溫度控制系統包括一加熱裝置、一冷卻裝置、一溫度感應器以及一溫度控制器。加熱裝置配置以加熱清潔溶液。冷卻裝置配置以冷卻清潔溶液。溫度感應器配置以監測清潔溶液的一溫度。溫度控制器配置以控制加熱裝置及冷卻裝置。

根據本公開另一些實施例，提供一種化學機械研磨(CMP)系統，包括：一研磨系統，配置以研磨一基板；以及一清潔系統，配置以在基板已經在研磨系統中研磨之后，去除殘留在基板上的多個污染物，清潔系統包括：多個清潔模塊，其中清潔模塊中的一第一清潔模塊配置以施行一第一清潔制程，并且清潔模塊中的一第二清潔模塊配置以施行一第二清潔制程；以及一清潔溶液供給系統，配置以供給在一第一溫度的一第一清潔溶液至第一清潔模塊，并且供給在一第二溫度的一第二清潔溶液至第二清潔模塊，其中第一溫度不同于第二溫度。

根據本公開又另一些實施例，提供一種在化學機械研磨(CMP)制程之后清潔一基板的方法，包括：提供需要去除多個化學機械研磨污染物的一基板到一清潔模塊中；向清潔模塊供給一清潔溶液，清潔溶液的一溫度高于或低于一環境溫度；以及使用清潔溶液從基板去除化學機械研磨污染物。

附圖說明

當與附圖一起閱讀時，根據以下實施方式可以最好地理解本公開的各實施例。應注意的是，根據業界中的標準實踐，各種特征未必按造比例繪制。實際上，為了討論的清晰性，各種特征的尺寸可以任意增加或減小。

圖1是根據一些實施例的用于處理基板的化學機械研磨(CMP)系統的示意圖。

圖2是根據一些實施例的化學機械研磨系統中的清潔模塊的示意圖。

圖3A是根據一些實施例的清潔溶液供給系統的示意圖。

圖3B是根據一些實施例的清潔溶液供給系統的示意圖。

圖4是根據一些實施例的在化學機械研磨制程之后的清潔基板的方法的流程圖。

圖5是根據一些實施例的用于控制化學機械研磨系統的控制系統的視圖。

其中，附圖標記說明如下：

100：化學機械研磨系統

102：基板

104：工廠接口

106：研磨系統