[發明專利]光掩模、光掩模的設計方法、光掩模坯料和顯示裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202110223505.4
• 申請日: 2016-06-15
• 公開（公告）號: CN112987484A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 小林周平
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成

本發明提供在圖案的轉印時能夠形成有利形狀的抗蝕劑圖案且顯示出優異的轉印性的光掩模、光掩模的制造方法、光掩模的設計方法、光掩模坯料和顯示裝置的制造方法。光掩模在透明基板上具備包含經圖案化的相移膜的轉印用圖案。上述轉印用圖案包含在上述透明基板上形成有相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部。設上述相移膜具有的、對于g線的相移量(度)為對于h線的相移量(度)為對于i線的相移量(度)為時，則滿足且這些中，最接近180度的值為

本申請是分案申請，其原申請的中國國家申請號為201610423251.X，申請日為2016年6月15日，發明名稱為“光掩模、光掩模的設計方法、光掩模坯料和顯示裝置的制造方法”。

技術領域

本發明涉及一種在透明基板上具有轉印用圖案的光掩模。特別是涉及有利于制造顯示裝置的光掩模、該光掩模的制造方法、該光掩模的設計方法、用于制造該光掩模的光掩模坯料、使用該光掩模制造顯示裝置的方法。

背景技術

根據專利文獻1，提出了在用于制造FPD(平板顯示器)設備時，使用依次蝕刻有相位反轉膜和遮光膜圖案而成的光掩模。

此處，記載了具有相位反轉膜的光掩模，該光掩模涉及下述問題：在用于制造FPD設備的光掩模中，為了提高圖案的分辨率，若將光源的波長變短而使透鏡大型化，則透鏡的焦點深度降低，對于得到實用的圖案的分辨率而言存在界限。并且，期望相位反轉膜對于i線、h線、g線的相位差偏差為10°以下。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-230379號公報

發明內容

發明所要解決的課題

目前，在包含液晶顯示裝置、EL顯示裝置等顯示裝置中，期望在更明亮且省電的同時實現高精細、高速顯示、廣視角等顯示性能的提高。

例如，對于上述顯示裝置中所用的薄膜晶體管(Thin Film Transistor、“TFT”)而言，構成TFT基板的兩個以上的圖案中，形成于層間絕緣膜的接觸孔若不具有可靠地連接上層和下層的圖案的作用，則無法保證準確的動作。另一方面，為了盡可能增大顯示裝置的開口率而制成明亮、省電的顯示裝置，要求接觸孔的孔徑足夠小。與此相伴，用于形成這樣的接觸孔的光掩模所具備的孔圖案的孔徑也期望微細化(例如小于4μm)。例如需要孔徑為2.5μm以下、進一步孔徑為2.0μm以下的孔圖案，據認為在不久的將來，還期望形成具有更小的1.5μm以下孔徑的圖案。基于這樣的背景，需要能夠可靠地轉印微小接觸孔的顯示裝置制造技術。

在顯示裝置制造用的光刻領域，作為LCD用(或FPD用)等已知的曝光裝置的NA(數值孔徑)為0.08～0.10左右，曝光光源也大多使用包含i線、h線、g線的寬波長區域，從而實現較高的生產效率、有利的成本。

但是，在如上所述的顯示裝置制造用的光刻領域中，圖案的微細化要求也比以往更高。本發明人試圖解決下述課題：在不使生產性、成本劣化的情況下穩定地進行更微細的顯示裝置的制造。

在上述專利文獻1中利用的是，在光掩模圖案中使用相位反轉膜時，在相位反轉膜的邊界通過曝光光的抵消干渉來提高分辨率。期望按照對于i線、h線、g線的相位差接近180°的方式形成相位反轉膜，但不可避免的是相位差因波長的不同而不同，因此期望盡可能減小對于曝光光的相位差偏差。并且，該情況下，對于任一種波長的曝光光，使相位反轉膜的相位差為180°為宜。

但是，為了盡可能減小相位差偏差，需要開發具有這種物性的膜材料，該材料的探索并不容易。

因此，本發明的目的在于得到一種光掩模，其在圖案的轉印時能夠形成有利形狀的抗蝕劑圖案且顯示出優異的轉印性，為了實現該目的，本發明人發現一種光掩模，即使使用具有相位差偏差的膜材料也可以進行分辨率優異的轉印，以此為課題進行深入研究，從而完成了本發明。