[發明專利]改進的用于RF應用的轉印

在審

• 申請號: 202110222643.0
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113327977A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 杰羅姆·洛林;伊曼·拉比卜;弗雷德里克·德里列;布萊斯·格朗尚;盧卡斯·伊奧納-普拉特;格雷戈里·烏倫
• 申請（專利權）人: X-FAB法國有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L23/00;H01L21/335;H01L21/683
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 潘軍

1.一種用于RF應用的半導體結構，包括：

目標襯底；

在所述目標襯底上微轉印(μTP)的氮化鎵(GaN)小芯片，其中，所述小芯片包括GaN器件和虛設金屬層。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述目標襯底是絕緣體上硅(SOI)晶片或管芯。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述μTP GaN小芯片包括緩沖層和在所述緩沖層上的GaN層，并且其中，所述緩沖層和所述GaN層的組合厚度小于3μm。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中，所述GaN層具有1.8μm的厚度。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述虛設金屬層具有0.3μm至4μm范圍內的厚度。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述虛設金屬層具有1.25μm的厚度。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述虛設金屬層基本上對稱地布置在所述μTP GaN小芯片上。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述GaN器件包括器件金屬層，所述器件金屬層包括用于連接至所述GaN器件的金屬觸點，并且其中，所述虛設金屬層不接觸所述器件金屬層。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其中，所述虛設金屬層和所述器件金屬層之間的間隙具有至少10μm的寬度。

10.根據權利要求8所述的半導體結構，其中，所述虛設金屬層和所述器件金屬層被布置為使得金屬基本上均勻地分布在所述μTP GaN小芯片上。

11.根據權利要求8所述的半導體結構，其中，所述虛設金屬層和所述器件金屬層一起覆蓋所述μTP GaN小芯片的總表面積的20％至90％。

12.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括覆蓋所述μTP GaN小芯片的封裝層。

13.根據權利要求12所述的半導體結構，其中，所述封裝層具有0.5μm至3μm范圍內的厚度。

14.一種形成用于RF應用的半導體結構的方法，所述方法包括：

提供包括GaN器件和虛設金屬層的氮化鎵(GaN)小芯片；以及

將所述GaN小芯片微轉印到目標襯底上。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，提供步驟包括：沉積金屬層，并圖案化所述金屬層，以形成所述虛設金屬層，并形成包括用于連接至所述GaN器件的金屬觸點的器件金屬層。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，微轉印步驟包括：在所述GaN小芯片從同質襯底釋放之前，沉積覆蓋所述GaN小芯片的封裝層。