[發明專利]一種具有虛擬修調功能的修調電路有效
| 申請號: | 202110222442.0 | 申請日: | 2021-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN112968696B | 公開(公告)日: | 2023-06-06 |
| 發明(設計)人: | 張聰杰;劉娜;王漪婷;李建楊;王科云 | 申請(專利權)人: | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 陳翠蘭 |
| 地址: | 710065 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 虛擬 功能 電路 | ||
1.一種具有虛擬修調功能的修調電路,其特征在于,包括端口復用電路、譯碼電路、修調熔絲陣列和虛擬修調信號輸出電路;所述端口復用電路的輸入端分別接入修調使能信號、修調陣列選擇信號和譯碼使能信號,端口復用電路的輸出端分別接入修調熔絲陣列和譯碼電路;所述譯碼電路的輸出端分別接入修調熔絲陣列和虛擬修調信號輸出電路;所述修調熔絲陣列和虛擬修調信號輸出電路合并后通過修調電路輸出設置;
修調使能信號通過端口復用電路輸出至修調熔絲陣列,并配合譯碼電路輸出完成熔絲熔斷操作,固化修調狀態;
修調陣列選擇信號并行輸入至端口復用電路,通過譯碼電路分別修調熔絲陣列和虛擬修調信號輸出電路;
譯碼使能信號通過端口復用電路連接譯碼電路,作為譯碼電路的使能信號;
所述的修調熔絲陣列包括NMOS管、PMOS管、與非門、反相器和若干個熔絲單元;其中NMOS管包括N5、N6和N7;PMOS管包括P5、P6和P7;當熔絲未熔斷時,熔絲單元輸出高電平,當熔絲熔斷后,熔絲單元輸出低電平;與非門輸出通過反向器連接NMOS管N7的柵端,當與非門輸出低時,N7流經大電流,將熔絲燒斷完成修調;
所述的虛擬修調信號輸出電路包括若干個輸出單元,每一個輸出單元包括D觸發器和NMOS管N8,其中NMOS管N8柵端與D觸發器正向輸出連接,NMOS管N8漏端連接熔絲單元輸出;
所述的D觸發器信號輸入端固定連接高電平,復位端與芯片內部使能信號相連接,時鐘輸入信號端CLK連接譯碼電路輸出,正向輸出端連接NMOS管N8;
當整體電路復位時,D觸發器正向輸出端輸出低電平,NMOS管N8不導通,熔絲單元輸出未修調的高電平信號;當CLK接收到譯碼器輸出的高電平信號后,D觸發器正向輸出端輸出高電平,NMOS管N8導通,將對應的熔絲單元修調輸出信號拉低,輸出修調后的低電平信號,與熔絲熔斷后輸出狀態一致,并且在整體電路使能信號不觸發的條件下,激活的該路虛擬修調信號能夠保持。
2.根據權利要求1所述的一種具有虛擬修調功能的修調電路,其特征在于,所述的端口復用電路包括NMOS管、PMOS管、電容C、電阻R和反相器;電源端VDD的輸出端分別與NMOS管和PMOS管的一端連接,復用端口接入PMOS管設置,PMOS管與NMOS管串聯設置,所述電容C和電阻R分別在NMOS管和PMOS管接入設置;PMOS管與NMOS管合并通過反相器從端口復用電路輸出設置。
3.根據權利要求2所述的一種具有虛擬修調功能的修調電路,其特征在于,所述的NMOS管包括N1、N2、N3和N4;PMOS管包括P1、P2、P3和P4;P1、P3和P4的管源端接入電源端VDD,其中N1通過電流源接入電源端VDD;N1、N2、N3和N4的源端接入地線設置;其中P1與N2串聯后與N1連接;P2與N3串聯后與P1和N2連接;P3與電阻R串聯后與P2和N3連接;P4與N4串聯后與P3和電阻R連接;其中,P2的管源端與復用端口連接,電阻R的一端接入地線設置;
N1與電流源合并后與N3連接設置;N1接入N2連接;N2與P1合并后與P3連接,且與電容C并聯設置;P3與電阻R合并后連接N4設置,P4接入偏置信號Bias設置;P4與N4后通過反相器從端口復用電路輸出設置。
4.根據權利要求1所述的一種具有虛擬修調功能的修調電路,其特征在于,所述的譯碼電路采用與非門方式進行修調,修調陣列選擇信號通過并行輸入至多個端口復用端口,并根據搭配不同端口復用電路的正負輸出至與非門輸入端設置,其中與非門固定端連接譯碼使能信號。
5.根據權利要求1所述的一種具有虛擬修調功能的修調電路,其特征在于,所述的修調陣列選擇信號通過端口復用電路并行輸入至譯碼電路,譯碼使能信號使能譯碼電路,譯碼輸出激活對應虛擬修調信號輸出單元中的D觸發器輸出高電平,NMOS管拉低修調熔絲單元輸出,輸出虛擬修調后的信號。
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