[發明專利]包括存儲器單元串的存儲器陣列和用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法

在審

• 申請號: 202110220190.8
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113345906A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: J·D·霍普金斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11565
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

1.一種用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法，其包括：

在襯底上形成包括導體材料的導體層；

在所述導體層上方形成包括豎直交替的第一層和第二層的堆疊，所述堆疊包括其間具有水平拉長的溝槽的橫向間隔開的存儲器塊區，溝道材料串延伸穿過所述第一層和所述第二層，所述第一層的材料具有與所述第二層的成分不同的成分，所述第一層的最低者厚于其上方的所述第一層，緊接在所述最低第一層上方的所述第二層的第二層材料包括上部第一絕緣材料和在所述上部第一絕緣材料下的下部第二材料，所述下部第二材料具有與所述上部第一絕緣材料的成分不同的成分；

選擇性地相對于所述第二層材料各向同性地蝕刻所述第一層材料以在所述第一層中形成空隙空間；

將傳導材料沉積到所述溝槽中并沉積到所述第一層中的所述空隙空間中，所述傳導材料填充在所述最低第一層上方的所述第一層中的所述空隙空間，所述傳導材料不完全填充所述最低第一層中的所述空隙空間；

從所述最低第一層蝕刻所述傳導材料；以及

在蝕刻所述傳導材料之后，在緊接在所述最低第一層上方的所述第二層中的所述下部第二材料下將導電材料沉積到所述最低第一層的所述空隙空間中，所述導電材料將所述溝道材料串中的個別者的所述溝道材料和所述導體層的所述導體材料直接電耦合在一起。

2.根據權利要求1所述的方法，其包括在沉積所述導電材料之前蝕刻掉所述溝槽中的所有所述傳導材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述導體層的所述導體材料的至少最上部部分具有與所述導電材料相同的成分。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述最低第一層比其上方的所述第一層厚至少1.5倍。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述最低第一層在所述各向同性蝕刻期間不直接抵靠所述導體層的所述導體材料。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述第二層的最低者在所述各向同性蝕刻期間豎直處于所述導體層的所述導體材料和所述最低第一層之間。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述最低第二層在所述各向同性蝕刻期間薄于其上方的所述第二層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中緊接在所述最低第一層上方的所述第二層在所述各向同性蝕刻期間厚于其上方的所述第二層。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電材料具有與所述導體層的所述導體材料的至少最上部部分不同的成分。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述溝道材料串的所述溝道材料的最低表面從未直接抵靠所述導體層中的任一個所述導體材料。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述最低第一層的所述空隙空間中的所述導電材料直接抵靠所述溝道材料串的所述溝道材料的側壁。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述最低第一層的所述空隙空間中的所述導電材料直接抵靠所述導體層的所述導體材料的最上部表面。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述下部第二材料包括以下中的至少一個：導電摻雜的多晶硅、未經導電摻雜的多晶硅、碳摻雜的多晶硅、氮化硅、未摻雜的氮化硅、碳摻雜的氮化硅和金屬材料。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述下部第二材料薄于所述上部第一絕緣材料。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電材料直接抵靠緊接在所述最低第一層上方的所述第二層中的所述下部第二材料。