[發(fā)明專利]用于在集成電路處理期間保護(hù)經(jīng)單個化集成電路裸片的方法及相關(guān)設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110220102.4
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113314452A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·M·貝利斯;B·P·沃茲
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/78
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

本申請案涉及用于在集成電路處理期間保護(hù)經(jīng)單個化集成電路裸片的方法及相關(guān)設(shè)備。提供經(jīng)單個化集成電路IC裸片。所述經(jīng)單個化IC裸片定位在切割帶上，以在相鄰的經(jīng)單個化IC裸片的側(cè)面之間提供開放空間。底部填充層及保護(hù)覆蓋膜安置在所述經(jīng)單個化IC裸片及所述相鄰的經(jīng)單個化IC裸片的側(cè)面之間的開放空間上面。所述底部填充層及所述保護(hù)覆蓋膜包含一或多個可光界定的材料。執(zhí)行曝光操作以在所述底部填充層與所述保護(hù)覆蓋膜上產(chǎn)生圖案。基于所述圖案，在所述相鄰的經(jīng)單個化IC裸片的所述側(cè)面之間的所述開放空間上面的區(qū)域處將所述底部填充層及所述保護(hù)覆蓋膜移除，以形成安置在所述經(jīng)單個化IC裸片上面的所述底部填充層的部分及所述保護(hù)覆蓋膜的部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實(shí)施例大體上涉及半導(dǎo)體制造，且更具體地，涉及使用保護(hù)覆蓋膜來在集成電路處理期間進(jìn)行底部填充保護(hù)。

背景技術(shù)

集成電路(IC)裸片堆疊可包含以下過程：將多個裸片彼此上下安裝，其中堆疊的裸片最終封裝在單個半導(dǎo)體封裝中以形成離散電子裝置。堆疊式IC裸片的采用繼續(xù)增加，以努力減少整個電氣裝置占用面積并改進(jìn)電氣裝置的電氣性能。

發(fā)明內(nèi)容

本申請案的方面是針對一種方法，其包括：在載體的切割帶上提供經(jīng)單個化集成電路(IC)裸片，其中所述經(jīng)單個化IC裸片定位在所述切割帶上，以在相鄰的經(jīng)單個化IC裸片的側(cè)面之間提供開放空間；在所述經(jīng)單個化IC裸片及所述相鄰的經(jīng)單個化IC裸片的所述側(cè)面之間的所述開放空間上面安置底部填充層及保護(hù)覆蓋膜，其中所述保護(hù)覆蓋膜經(jīng)定位在所述底部填充層上面，其中所述底部填充層及所述保護(hù)覆蓋膜包括一或多個可光界定的材料；執(zhí)行曝光操作以在所述底部填充層及所述保護(hù)覆蓋膜上產(chǎn)生圖案；及根據(jù)所述圖案，在所述相鄰的經(jīng)單個化IC裸片的所述側(cè)面之間的所述開放空間上面的區(qū)域處將所述底部填充層及所述保護(hù)覆蓋膜移除，以形成安置在所述經(jīng)單個化IC裸片上面的所述底部填充層的部分及所述保護(hù)覆蓋膜的部分。

本申請案的另一方面是針對一種設(shè)備，其包括：載體；經(jīng)單個化集成電路(IC)裸片，其定位在所述載體上面，其中所述經(jīng)單個化IC裸片定位在所述載體上，以在相鄰的經(jīng)單個化IC裸片的側(cè)面之間提供開放空間；及底部填充層，其位于所述經(jīng)單個化IC裸片上面；及保護(hù)覆蓋膜，其位于所述底部填充層上面，其中所述保護(hù)覆蓋膜使用粘合接合耦合到所述底部填充層。

本申請案的又一方面是針對一種方法，其包括：提供包括集成電路(IC)裸片的裝置晶片；在所述裝置晶片上面安置底部填充層及保護(hù)覆蓋膜，其中所述保護(hù)覆蓋膜在所述底部填充層上面并耦合到所述底部填充層；及通過處理裝置將所述IC裸片從所述裝置晶片切割，以形成經(jīng)單個化IC裸片，其中所述經(jīng)單個化IC裸片包括安置在所述經(jīng)單個化IC裸片上面的所述底部填充層的部分及所述保護(hù)覆蓋膜的部分。

附圖說明

從下文給出的詳細(xì)描述且從本公開的各種實(shí)施例的附圖將更全面理解本公開。然而，不應(yīng)將圖式用于將本公開限制于特定實(shí)施例，而僅為了解釋及理解。

圖1根據(jù)本公開的一些實(shí)施例說明在制造過程中使用的裝置晶片，所述制造過程包含用于在載體上提供裝置晶片的第一操作。

圖2根據(jù)本公開的一些實(shí)施例說明在制造過程中使用的裝置晶片，所述制造過程包含用于在裝置晶片上方形成底部填充層以及保護(hù)覆蓋膜的第二操作。

圖3根據(jù)本公開的一些實(shí)施例說明在制造過程中使用的裝置晶片，所述制造過程包含用于將介于裝置晶片的IC裸片之間的裝置晶片的區(qū)域上面的底部填充層及保護(hù)覆蓋膜的第三操作。

圖4根據(jù)本公開的一些實(shí)施例說明在制造過程中使用的裝置晶片，所述制造過程包含用于從裝置晶片切割I(lǐng)C裸片以形成經(jīng)單個化IC裸片的第四操作。

圖5A根據(jù)本公開的一些實(shí)施例說明在制造過程中使用的裝置晶片，所述制造過程包含用于移除保護(hù)覆蓋膜的一或多個部分的第五操作。