[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110219402.0
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113113312A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱峯慶;李威養(yǎng);楊豐誠;陳燕銘
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/08
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

1.一種半導(dǎo)體裝置的制作方法，包括：

提供自一基板延伸的一鰭狀結(jié)構(gòu)；

形成一柵極結(jié)構(gòu)于該鰭狀結(jié)構(gòu)上；以及

形成一外延結(jié)構(gòu)于該鰭狀結(jié)構(gòu)上以與該柵極結(jié)構(gòu)相鄰，其中形成該外延結(jié)構(gòu)的步驟包括：

成長一第一外延部分；

形成一第二外延部分于該第一外延部分上，其中形成該第二外延部分的步驟包括導(dǎo)入一第一摻質(zhì)材料；

成長一第三外延部分于該第二外延部分上，其中成長該第三外延部分的步驟包括導(dǎo)入一第二摻質(zhì)材料；以及

進行一選擇性蝕刻工藝，移除該第二外延部分的至少一部分，以形成一中空區(qū)于該第一外延部分與該第三外延部分之間。