[發明專利]雙工器、抑制雙工器高次諧振的方法以及電子設備在審
| 申請號： | 202110218502.1 | 申請日： | 2021-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN114978085A | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發明（設計）人： | 邊子鵬;龐慰 | 申請（專利權）人： | 諾思（天津）微系統有限責任公司 |
| 主分類號： | H03H7/01 | 分類號： | H03H7/01;H03H7/46 |
| 代理公司： | 北京漢智嘉成知識產權代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜勁;谷惠敏 |
| 地址： | 300457 天津市濱*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙工器 抑制 諧振 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種雙工器，其特征在于，包括：高頻端濾波器、低頻端濾波器和高次諧振抑制電路，其中，
高頻端濾波器中的串聯諧振器層疊為近似對稱結構，低頻端濾波器中的串聯諧振器層疊為非對稱結構，其中，低頻端濾波器的第二高次諧振偽通帶與所述高頻端濾波器的第二高次諧振偽通帶重合，并且所述低頻端濾波器具有第一高次諧振偽通帶；
所述高次諧振抑制電路并聯地設置在所述雙工器的天線端和公共端之間，所述高次諧振抑制電路具有第一抑制零點和第二抑制零點，所述第一抑制零點位于所述低頻端濾波器的所述第一高次諧振偽通帶處，所述第二抑制零點位于所述低頻端濾波器和所述高頻端濾波器的重合的所述第二高次諧振偽通帶處。
2.根據權利要求1所述的雙工器，其特征在于，所述高頻端濾波器中的串聯諧振器的層疊不對稱性參數小于所述低頻端濾波器中的所述串聯諧振器的層疊不對稱性參數。
3.根據權利要求2所述的雙工器，其特征在于，所述高頻端濾波器中的串聯諧振器的層疊不對稱性參數小于0.25。
4.根據權利要求2或3所述的雙工器，其特征在于，所述低頻端濾波器中的串聯諧振器的層疊不對稱性參數大于等于0.15。
5.根據權利要求1所述的雙工器，其特征在于，所述高次諧振抑制電路由諧振器和電感器級聯組成。
6.根據權利要求5所述的雙工器，其特征在于，所述高次諧振抑制電路中的諧振器與所述低頻端濾波器或者與所述高頻端濾波器設置在同一顆芯片內。
7.根據權利要求5所述的雙工器，其特征在于，所述高次諧振抑制電路中的諧振器為FBAR、BAW或LWR諧振器。
8.根據權利要求5所述的雙工器，其特征在于，所述高次諧振抑制電路中的諧振器由多個諧振器通過串和/或并聯方式連接組成。
9.根據權利要求8所述的雙工器，其特征在于，所述多個諧振器中至少存在一個諧振器的諧振頻率與其他諧振器的諧振頻率不同。
10.一種電子設備，其特征在于，包含權利要求1至9中任一項所述的雙工器。
11.一種抑制雙工器高次諧振的方法，其特征在于，包括：
將高頻端濾波器中第一串聯諧振器層疊設置為近似對稱結構，并且將低頻端濾波器中第二串聯諧振器層疊設置為非對稱結構，使得所述低頻端濾波器的第二高次諧振偽通帶與所述高頻端濾波器的第二高次諧振偽通帶重合并且所述低頻端濾波器具有第一高次諧振偽通帶；
在天線端和公共端CT之間并聯設置高次諧振抑制電路，其中，所述高次諧振抑制電路具有第一抑制零點，以使所述第一抑制零點位于所述低頻端濾波器的所述第一高次諧振偽通帶處，并且以使所述第二抑制零點位于所述低頻端濾波器和所述高頻端濾波器的重合的所述第二高次諧振偽通帶處。
12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述高頻端濾波器中的串聯諧振器的層疊不對稱性參數小于所述低頻端濾波器中的所述串聯諧振器的層疊不對稱性參數。
13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述層疊不對稱性參數的計算公式為：
其中，s為層疊不對稱性參數，D鈍為鈍化層的密度，D頂為頂電極的密度，D底為底電極的密度，T鈍為鈍化層的厚度，T頂為頂電極的厚度，T底為底電極的厚度。
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