[發(fā)明專利]一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110217698.2 | 申請日： | 2021-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN113008438A | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊浩;徐鑫;鄭東飛;袁海 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安微電子技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | G01L9/02 | 分類號： | G01L9/02 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 李紅霖 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高精度 硅基壓阻式 壓力傳感器 | ||
1.一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器，其特征在于，包括厚膜陶瓷基板，厚膜陶瓷基板的正面設(shè)有氣壓檢測口，厚膜陶瓷基板的背面設(shè)有陶瓷封裝體，陶瓷封裝體內(nèi)部的厚膜陶瓷基板區(qū)域上設(shè)有硅基壓力傳感器芯片和伺服電路；
其中，硅基壓力傳感器芯片、伺服電路與厚膜陶瓷基板通過鍵合方式實現(xiàn)電氣連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器，其特征在于，厚膜陶瓷基板的正面和反面均設(shè)有焊盤，焊盤上設(shè)有F型插針。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器，其特征在于，伺服電路與硅基壓力傳感器芯片距離小于3mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器，其特征在于，硅基壓力傳感器芯片和伺服電路均采用裸芯片粘接在厚膜陶瓷基板的背面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器，其特征在于，厚膜陶瓷基板的正面設(shè)有兩個氣壓檢測口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器，其特征在于，氣壓檢測口粘接固定在厚膜陶瓷基板的正面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器，其特征在于，硅基壓力傳感器芯片采用集成電路平面工藝制得：在N型片上通過雜質(zhì)擴(kuò)散、離子注入制作力敏電阻，將所得力敏電阻連接成惠斯通電橋結(jié)構(gòu)制得硅基壓力傳感器芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器，其特征在于，其輸入壓力范圍為0～3PSI，其最大輸出電壓為5V。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度硅基壓阻式壓力傳感器，其特征在于，其非線性度誤差小于0.1％FS，其滿量程溫度漂移小于0.3％FS/℃，其零點(diǎn)溫度漂移小于0.2％FS。
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