[發明專利]一種功率分立器件及其控制方法

在審

• 申請號: 202110217081.0
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113037256A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 陳鵬
• 申請（專利權）人: 陽光電源股份有限公司
• 主分類號: H03K17/16
• 分類號: H03K17/16
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張柳

1.一種功率分立器件，其特征在于，包括：封裝外殼及封裝于所述封裝外殼內部的兩個不同類型的可控半導體芯片；

兩個不同類型的所述可控半導體芯片之間存在至少一個連接點，以使所述功率分立器件封裝后具備至少兩個功率流端口以及至少一個控制端口；

所述控制端口用于實現對于相應的所述可控半導體芯片的通斷驅動，以使所述功率分立器件的主功率電流流經相應的所述功率流端口，以及相應的可控半導體芯片。

2.根據權利要求1所述的功率分立器件，其特征在于，兩個所述可控半導體芯片中，第二可控半導體芯片的第一性能優于第一可控半導體芯片；

所述第一性能包括：開通時開關損耗或兩端電壓下降速度，以及，關斷時開關損耗或兩端電壓上升速度。

3.根據權利要求2所述的功率分立器件，其特征在于，所述第一可控半導體芯片為硅基半導體器件。

4.根據權利要求3所述的功率分立器件，其特征在于，所述第一可控半導體芯片為：至少1顆半導體晶圓并聯組成。

5.根據權利要求3所述的功率分立器件，其特征在于，所述硅基半導體器件為：硅基的絕緣柵雙極型晶體管IGBT、晶體三極管BJT和硅基的金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET中的一種。

6.根據權利要求2所述的功率分立器件，其特征在于，所述第二可控半導體芯片為寬禁帶半導體器件；

或者，第一可控半導體芯片為IGBT時，所述第二可控半導體芯片為硅基的金氧半場效晶體管MOSFET。

7.根據權利要求6所述的功率分立器件，其特征在于，所述寬禁帶半導體器件為：氮化鎵場效應晶體管GaN-FET和碳化硅基的場效應晶體管SIC-MOSFET中的一種。

8.根據權利要求7所述的功率分立器件，其特征在于，所述第二可控半導體芯片為：至少1顆半導體晶圓并聯組成。

9.根據權利要求1-8任一項所述的功率分立器件，其特征在于，兩個不同類型的所述可控半導體芯片并聯連接后的兩端分別作為一個所述功率流端口。

10.根據權利要求1-8任一項所述的功率分立器件，其特征在于，兩個所述可控半導體芯片的第一端相連，連接點作為一個所述功率流端口；

兩個所述可控半導體芯片的第二端分別作為另外一個所述功率流端口。

11.根據權利要求1-8任一項所述的功率分立器件，其特征在于，兩個所述可控半導體芯片的控制端，分別作為一個所述控制端口。

12.根據權利要求1-8任一項所述的功率分立器件，其特征在于，還包括：一個阻抗；

一個所述可控半導體芯片的控制端通過所述阻抗連接所述控制端口；

另一個所述可控半導體芯片的控制端直接連接所述控制端口。

13.根據權利要求12所述的功率分立器件，其特征在于，還包括：兩個阻抗；

兩個所述可控半導體芯片的控制端分別通過相應的阻抗連接所述控制端口。

14.一種功率分立器件的控制方法，其特征在于，應用于如權利要求1-13任一項所述功率分立器件的控制器，所述控制方法包括：

檢測所述功率分立器件所在電路的當前參數；

控制所述功率分立器件中兩個不同類型的可控半導體芯片分別執行相應的開關動作，以承擔相應的損耗，使所述功率分立器件在所述當前參數下的總損耗最小。

15.根據權利要求14所述的功率分立器件的控制方法，其特征在于，所述當前參數為：電流值、電壓值和功率值中的至少一個。