[發(fā)明專利]一種制備雙層單晶石墨烯的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110215730.3 | 申請日： | 2021-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN113089094B | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐小志;梁智華;曾凡凱;王然;唐志列 | 申請（專利權(quán)）人： | 華南師范大學(xué) |
| 主分類號： | C30B29/02 | 分類號： | C30B29/02;C30B25/02;C30B25/08 |
| 代理公司： | 廣州駿思知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44425 | 代理人： | 吳靜芝 |
| 地址： | 510006 廣東省廣州市番禺區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 雙層 晶石 方法 | ||
1.一種制備雙層單晶石墨烯的方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)將含碳類化合物和銅箔放置于閉合但不完全密封的、可允許氣體進入的剛玉盒中，所述含碳類化合物相對于銅箔放置于所述剛玉盒內(nèi)的前端，再將所述剛玉盒放置于氣相沉積爐中；
2)往所述氣相沉積爐內(nèi)通入氬氣和氫氣，氫氣的通入量為10sccm，將所述氣相沉積爐在1小時內(nèi)加熱至高溫1030-1045℃；
3)保持所述氣相沉積爐的溫度在高溫1030-1045℃，增大氫氣的通入量至80sccm，將所述銅箔退火，退火時間為40分鐘；
4)往所述氣相沉積爐內(nèi)通入甲烷，甲烷的通入量為1.5sccm，減小氫氣的通入量至10sccm，開始雙層單晶石墨烯在所述銅箔上的生長過程，所述生長過程的持續(xù)時間為60-240分鐘；
5)雙層單晶石墨烯生長完畢后，停止通入甲烷，關(guān)閉所述氣相沉積爐的電源，使所述氣相沉積爐在氫氣和氬氣的氛圍下自然冷卻到室溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1)中，在所述剛玉盒內(nèi)的前端放置裝有所述含碳類化合物的坩堝。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：步驟1)中，所述剛玉盒放置于石英板上然后一起放入所述氣相沉積爐內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述含碳類化合物為石墨烯或聚甲基丙烯酸甲酯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1)至5)中，保持氬氣的通入量為500sccm。
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