[發明專利]制造半導體裝置的方法與光阻劑組成物在審
| 申請號： | 202110215009.4 | 申請日： | 2021-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN113311662A | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發明（設計）人： | 林子揚;張慶裕;林進祥 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/004 | 分類號： | G03F7/004;G03F7/027;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 半導體 裝置 方法 光阻劑 組成 | ||
1.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包含：
形成包含光阻劑組成物的光阻層于基板上；
選擇性地在光化輻射下曝光該光阻層，以形成潛在圖案；及
藉由施加顯影劑至選擇性曝光地該光阻層，來顯影該潛在圖案以形成圖案，
其中該光阻劑組成物包含：
光活性化合物；及
聚合物，
其中該聚合物具有從包含從以下選出的一或多個基團的聚合物主鏈：
且其中該聚合物主鏈包含至少一個從B、C-1、C-2選出的基團，
ALG為酸不穩定基團，且
X為連接基。
2.如權利要求1所述的方法，其中該光活性化合物為光酸產生劑。
3.如權利要求1所述的方法，其中該光阻劑組成物更包多個金屬納米粒子與一或多個有機配位基。
4.如權利要求1所述的方法，更包含在選擇性地在光化輻射下曝光該光阻層，以形成該潛在圖案之后與顯影該潛在圖案之前，加熱該光阻層。
5.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包含：
形成包含光阻劑組成物的光阻層于基板上；
在光化輻射下圖案曝光該光阻層，以形成該光阻層的第一部分與第二部分，該第一部分在該光化輻射下曝光而該第二部分不在該光化輻射下曝光；
移除該光阻層的該第二部分以在該光阻層中形成圖案，該光阻層暴露該基板的一部分；及
延伸在該光阻層中的該圖案至該基板中，
其中該光阻劑組成物包含：
光活性化合物；及
聚合物，
其中該聚合物具有從包含從以下選出的一或多個基團的聚合物主鏈：
且其中該聚合物主鏈包含至少一個從B、C-1、C-2選出的基團，
ALG為酸不穩定基團，且
X為連接基。
6.如權利要求5所述的方法，其中該酸不穩定基團為一或多個：
7.一種光阻劑組成物，其特征在于，包含：
光活性化合物；及
聚合物，
其中該聚合物具有從包含從以下選出的一或多個基團的聚合物主鏈：
且其中該聚合物主鏈包含至少一個從B、C-1、C-2選出的基團，
ALG為酸不穩定基團，且
X為連接基。
8.如權利要求7所述的光阻劑組成物，其中該連接基為酯基。
9.如權利要求7所述的光阻劑組成物，其中以聚合物總重量為基準，該聚合物包含重量百分濃度介于40％至70％之間的一或多個基團B、C-1、C-2。
10.如權利要求7所述的光阻劑組成物，更包含溶劑。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110215009.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
