[發明專利]一種掩膜版及光學臨近修正的方法

在審

• 申請號: 202110215006.0
• 申請日: 2021-02-25
• 公開（公告）號: CN112965335A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 林楠;王中來;胡韜;劉興華
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

1.一種掩膜版，其特征在于，包括：至少一個圖形對應區，

其中，任一所述圖形對應區包括主區和位于所述主區周圍的至少一個光學臨近失真補償區，所述主區的透光率、與所述圖形對應區鄰接的外圍區域的透光率和所述光學臨近失真補償區的透光率不相等，所述主區的透光率大于與所述圖形對應區鄰接的外圍區域的透光率和所述光學臨近失真補償區的透光率中的較小值，且所述主區的透光率小于與所述圖形對應區鄰接的外圍區域的透光率和所述光學臨近失真補償區的透光率中的較大值。

2.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述圖形對應區為線條對應區或孔對應區。

3.根據權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版用于對正性光刻膠進行光掩膜工藝，

與所述線條對應區鄰接的外圍區域的透光率大于所述線條對應區中的光學臨近失真補償區的透光率；

與所述孔對應區鄰接的外圍區域的透光率小于所述孔對應區中的光學臨近失真補償區的透光率。

4.根據權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版用于對負性光刻膠進行光掩膜工藝，

與所述線條對應區鄰接的外圍區域的透光率小于所述線條對應區中的光學臨近失真補償區的透光率；

與所述孔對應區鄰接的外圍區域的透光率大于所述孔對應區中的光學臨近失真補償區的透光率。

5.根據權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述圖形對應區為多個，多個圖形對應區包括至少一個線條對應區和至少一個孔對應區；

所述線條對應區中的光學臨近失真補償區位于所述線條對應區的拐角處；

所述孔對應區為圓孔對應區或矩形孔對應區，所述圓孔對應區中的光學臨近失真補償區圍繞所述圓孔對應區中的主區的外緣連續設置一圈；所述矩形孔對應區中的光學臨近失真補償區位于所述矩形孔對應區的拐角處。

6.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述主區為半透光區，與所述圖形對應區鄰接的外圍區域和所述光學臨近失真補償區中透光率較大的為全透光區；與所述圖形對應區鄰接的外圍區域和所述光學臨近失真補償區中透光率較小的為遮光區。

7.根據權利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括透光基底、以及位于所述透光基底同一側的半透光膜層和遮光膜層，所述半透光膜層覆蓋所述半透光區，所述遮光膜層覆蓋所述遮光區。

8.根據權利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版還包括保護層，所述保護層位于所述半透光膜層和所述遮光膜層遠離所述透光基底的一側。

9.根據權利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述透光基底包括石英玻璃基底；所述半透光膜層包括下述至少一種：氧化鉬硅化物膜層和氧化氮鉬硅化物膜層；所述遮光膜層包括鉻膜層。

10.一種基于權利要求1-9任一所述的掩膜版的光學臨近修正的方法，其特征在于，包括：

光源發出的光經掩膜版照射至基板上；

比較經曝光、顯影后的所述基板上的結果圖形與預期圖形；

若所述結果圖形與所述預期圖形的失真率高于預設閾值，則調整所述光源的光強，并更換基板，之后返回執行操作：光源發出的光經掩膜版照射至基板上；

若所述結果圖形與所述預期圖形的失真率低于預設閾值，則將所述光源的當前光強作為目標光強。