[發明專利]電荷損失補償

有效

• 申請號: 202110215005.6
• 申請日: 2021-02-25
• 公開（公告）號: CN113380305B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: K·C·C·卡瓦利普拉普;輝俊勝
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30;G11C16/04;G11C16/26
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

在一些實例中公開用于電荷損失補償的方法、系統、裝置和機器可讀介質。在一些實例中，可由電荷損失監視器針對NAND裝置的特定單元估計電荷損失，且可利用所述電荷損失來選擇電荷損失補償方案。可借助于電荷損失估計過程通過確定參考讀取電壓并計算由所述參考讀取電壓下的讀取產生的位計數來估計所述電荷損失。可使用傳回的位數目來選擇特定電荷損失補償方案。

技術領域

實施例涉及存儲器裝置。一些實施例涉及處理存儲器裝置的電荷損失和讀取干擾效應。

背景技術

用于計算機或其它電子裝置的存儲器裝置可分類為易失性和非易失性存儲器。易失性存儲器需要電力來維持其數據，且包含隨機存取存儲器(RAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)或同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)等。非易失性存儲器可在未供電時保持所存儲數據，且包含快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、靜態RAM(SRAM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電阻可變存儲器、相變存儲器、存儲級存儲器、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)和磁阻隨機存取存儲器(MRAM)等。

快閃存儲器用作廣范圍的電子應用的非易失性存儲器。快閃存儲器裝置通常包含允許高存儲器密度、高可靠性和低功耗的例如浮動柵極或電荷阱存儲器單元等晶體管的一或多個群組。

基于晶體管的存儲器裝置通過鑒別存儲于晶體管中的電荷電平來存儲位。如此，維持正確地表示編程到單元中的位的適當的電荷電平是一項持久的挑戰。如果電荷電平在編程之后改變到表示不同位值的電荷電平，則可能引入錯誤。存儲器裝置的某些操作可能增加存儲器單元的電荷電平。舉例來說，讀取干擾錯誤可能由于在讀取操作期間將Vpass電壓施加到未選定字線而增加存儲器單元中的電荷電平。Vpass電壓越高，則引入錯誤的概率越高。此外，存儲于存儲器單元中的電荷電平可能隨時間經由被稱為電荷損失的現象而減小。讀取干擾和電荷損失兩者都可能通過將單元中的電壓電平改變到不對應于編程到單元中的值的電壓電平而改變存儲于存儲器單元中的值。

發明內容

在一個方面中，本公開涉及一種存儲器系統，所述存儲器系統包括：存儲器陣列，其包括非易失性存儲器單元；存儲器控制器，其包括一或多個硬件處理器，所述存儲器控制器被配置成執行包含以下的操作：接收讀取所述存儲器陣列的頁的讀取命令；確定是否將針對所述讀取命令應用電荷損失補償；響應于確定將針對所述讀取命令應用所述電荷損失補償，基于所述頁的所估計電荷損失設定讀取參數；以及使用所述讀取參數和讀取電壓來讀取所述頁，所述讀取電壓不同于參考讀取電平電壓。

在另一方面中，本公開涉及一種由存儲器系統的控制器執行的方法，所述方法包括：接收讀取存儲器陣列的頁的讀取命令；確定是否將針對所述讀取命令應用電荷損失補償；響應于確定將針對所述讀取命令應用所述電荷損失補償，基于所述頁的所估計電荷損失設定讀取參數；以及使用所述讀取參數和讀取電壓來讀取所述頁，所述讀取電壓不同于參考讀取電平電壓。

在又一方面中，本公開涉及一種存儲指令的非暫時性機器可讀介質，所述指令在由存儲器系統的處理器執行時致使所述處理器執行包含以下的操作：接收讀取所述存儲器陣列的頁的讀取命令；確定是否將針對所述讀取命令應用電荷損失補償；響應于確定將針對所述讀取命令應用所述電荷損失補償，基于所述頁的所估計電荷損失設定讀取參數；以及使用所述讀取參數和讀取電壓來讀取所述頁，所述讀取電壓不同于參考讀取電平電壓。

附圖說明

在不一定按比例繪制的圖式中，相似標號可在不同視圖中描述類似組件。具有不同字母后綴的相似標號可表示類似組件的不同例項。

圖式借助于實例而非限制性地大體上示出本文所論述的各種實施例。

圖1示出根據本公開的一些實例的例如存儲裝置等存儲器裝置的圖式。

圖2示出根據本公開的一些實例的NAND架構半導體存儲器陣列的一部分的實例示意圖。