[發明專利]劍蘭花狀硒化鎳/硒化鈷/二硒化三鎳納米復合陣列電極材料

有效

• 申請號: 202110211087.7
• 申請日: 2021-02-25
• 公開（公告）號: CN113003547B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 杜衛民;劉欣;朱琳;姚聰;魏成振;張道軍
• 申請（專利權）人: 安陽師范學院
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
• 代理公司: 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104
• 代理人: 時立新

1.劍蘭花狀NiSe/CoSe/Ni₃Se₂納米復合陣列電極材料，其特征在于，通過以下方法制備而成：

1）Ni₃Se₂納米線陣列前驅體模板的制備：將Se粉和乙二胺溶液混合，完全溶解后加入預處理的泡沫鎳，在反應釜中水熱處理后，反應釜自然冷卻，反應后的泡沫鎳經洗滌，真空干燥，獲得Ni₃Se₂納米線陣列前驅體模板；

2）混合溶劑反應液的制備：將四水合乙酸鈷加入到苯甲醚和甲醇的混合溶劑中，加熱溶解，制備得到混合溶劑反應液；其中：混合溶劑反應液中Co²⁺的濃度為 0.01 - 0.05 moldm^-3，苯甲醚和甲醇的體積比為3:1～7:1；

3）劍蘭花狀NiSe/CoSe/Ni₃Se₂納米復合陣列的合成：將步驟（2）的混合溶劑反應液移入反應釜中，加入步驟（1）合成的Ni₃Se₂納米線陣列前驅體模板，密封后在100-140℃條件下進行溶劑熱處理，反應結束后自然冷卻；所得產物經洗滌，真空干燥，得劍蘭花狀NiSe/CoSe/Ni₃Se₂納米復合陣列。

2.如權利要求1所述的劍蘭花狀NiSe/CoSe/Ni₃Se₂納米復合陣列電極材料，其特征在于，其內部是一維的Ni₃Se₂納米線，NiSe和CoSe納米片包裹在Ni₃Se₂納米線上，兼有一維和二維結構特點的劍蘭花狀納米結構。

3.如權利要求1或2所述的劍蘭花狀NiSe/CoSe/Ni₃Se₂納米復合陣列電極材料，其特征在于，NiSe/CoSe/Ni₃Se₂納米復合陣列結構中的三種物質之間的摩爾比為：NiSe：CoSe：Ni₃Se₂ ≈ 3：3：1。