[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202110210135.0 | 申請日: | 2021-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN113013211B | 公開(公告)日: | 2022-10-25 |
| 發明(設計)人: | 夏維;王彥強;郭遠征;韓永占 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括:
柔性透光基底;所述柔性透光基底的一側具有多個凹槽;
設置在所述柔性透光基底一側的遮光層;所述遮光層包括多個遮光圖案,一個遮光圖案位于一個凹槽內;所述遮光圖案包括第一子遮光圖案和第二子遮光圖案,所述第一子遮光圖案覆蓋在所述凹槽的側壁上,所述第二子遮光圖案覆蓋在所述凹槽的底面上;以及,
設置在所述遮光層遠離所述柔性透光基底一側的多個子像素;各子像素包括像素驅動電路和發光器件;
其中,所述像素驅動電路包括多個晶體管,一個晶體管的有源層位于一個凹槽內;一個凹槽內設置有多個有源層;所述多個有源層屬于至少一個像素驅動電路中的晶體管;相對于所述柔性透光基底,所述有源層靠近所述柔性透光基底的一側表面,低于所述第一子遮光圖案遠離所述柔性透光基底的一側表面。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,相對于所述柔性透光基底,所述有源層遠離所述柔性透光基底的一側表面,與所述第一子遮光圖案遠離所述柔性透光基底的一側表面持平,或者,低于所述第一子遮光圖案遠離所述柔性透光基底的一側表面。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子遮光圖案和所述第二子遮光圖案之間的夾角大于或等于90°。
4.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括:設置在所述柔性透光基底和所述多個子像素之間的阻隔層;
所述阻隔層具有多個開口,所述多個開口暴露所述多個凹槽;
所述第一子遮光圖案在所述柔性透光基底上的正投影,與所述阻隔層在所述柔性透光基底上的正投影相切或部分重疊。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述遮光層包括金屬層;
所述遮光層接地設置。
6.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括:設置在所述遮光圖案和所述有源層之間的緩沖層;
所述緩沖層覆蓋所述第一子遮光圖案和所述第二子遮光圖案;
沿平行于所述柔性透光基底的方向,所述第一子遮光圖案和所述有源層之間具有間距。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述晶體管的柵極位于所述晶體管的有源層遠離所述柔性透光基底的一側。
8.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
提供柔性透光薄膜;
對所述柔性透光薄膜進行圖案化處理,形成多個凹槽,得到柔性透光基底;
在所述柔性透光基底的一側形成遮光層;所述遮光層包括多個遮光圖案,一個遮光圖案位于一個凹槽內;所述遮光圖案包括第一子遮光圖案和第二子遮光圖案,所述第一子遮光圖案覆蓋在所述凹槽的側壁上,所述第二子遮光圖案覆蓋在所述凹槽的底面上;
在所述遮光層遠離所述柔性透光基底的一側形成多個子像素;各子像素包括像素驅動電路和發光器件;
其中,所述像素驅動電路包括多個晶體管,一個晶體管的有源層位于一個凹槽內;一個凹槽內設置有多個有源層;所述多個有源層屬于至少一個像素驅動電路中的晶體管;相對于所述柔性透光基底,所述有源層靠近所述柔性透光基底的一側表面,低于所述第一子遮光圖案遠離所述柔性透光基底的一側表面。
9.根據權利要求8所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述對所述柔性透光薄膜進行圖案化處理,形成多個凹槽,包括:
在所述柔性透光薄膜的一側形成阻隔薄膜;
在所述阻隔薄膜遠離所述柔性透光薄膜的一側形成第一光刻膠層;
對所述第一光刻膠層進行圖案化,以圖案化后的第一光刻膠層為掩膜,對所述阻隔薄膜進行圖案化,形成多個開口,得到阻隔層;
以所述阻隔層為掩膜,對所述柔性透光薄膜進行圖案化,形成多個凹槽,得到所述柔性透光基底。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





