[發(fā)明專利]磁頭及磁記錄裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110210042.8
• 申請日: 2021-02-25
• 公開（公告）號: CN113763993B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設計）人: 成田直幸;高岸雅幸;巖崎仁志;前田知幸
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張謨煜;段承恩

1.一種磁記錄裝置，具備：

磁頭；

磁記錄介質(zhì)；及

電路，

所述磁頭包括：

第1磁極；

第2磁極；及

層疊體，設置于所述第1磁極與所述第2磁極之間，

所述層疊體包括：

第1磁性層；

第2磁性層，設置于所述第1磁極與所述第1磁性層之間；

第3磁性層，設置于所述第1磁極與所述第2磁性層之間；

第1非磁性層，設置于所述第1磁性層與所述第2磁極之間；

第2非磁性層，設置于所述第2磁性層與所述第1磁性層之間；及

第3非磁性層，設置于所述第3磁性層與所述第2磁性層之間，

所述第1磁性層包括Fe、Co及Ni中的至少1個，

所述第2磁性層包括Fe、Co及Ni中的至少1個，

所述第3磁性層包括第1元素和第2元素，所述第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1個，所述第2元素包括從由Cr、V、Mn、Ti及Sc構成的群選擇出的至少1個，所述第1磁性層及所述第2磁性層不包括所述第2元素，或者，所述第1磁性層及所述第2磁性層中的所述第2元素的濃度比所述第3磁性層中的所述第2元素的濃度低，

所述第1非磁性層包括從由Cu、Ag、Au、Al及Cr構成的群選擇出的至少1個，

所述第2非磁性層包括從由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr及Pd構成的群選擇出的至少1個，

所述第3非磁性層包括從由Cu、Ag、Au、Al及Cr構成的群選擇出的至少1個，

在所述層疊體流動的電流是第1電流時的所述層疊體的電阻是第1電阻，

在所述層疊體流動的所述電流是比所述第1電流大的第2電流時，所述層疊體的所述電阻是比所述第1電阻高的第2電阻，

在所述層疊體流動的所述電流是所述第1電流與所述第2電流之間的第3電流時，所述層疊體的所述電阻振蕩，

在使用所述磁頭向所述磁記錄介質(zhì)記錄信息的記錄動作中，所述電路能夠將所述第2電流向所述層疊體供給。

2.根據(jù)權利要求1所述的磁記錄裝置，

所述第3非磁性層包括Cr。

3.根據(jù)權利要求1所述的磁記錄裝置，

所述第1非磁性層與所述第1磁性層及所述第2磁極相接，

所述第2非磁性層與所述第2磁性層及所述第1磁性層相接，

所述第3非磁性層與所述第3磁性層及所述第2磁性層相接。

4.根據(jù)權利要求1所述的磁記錄裝置，

所述第1磁極與所述第3磁性層相接。

5.根據(jù)權利要求1所述的磁記錄裝置，

所述層疊體還包括第4非磁性層，

所述第4非磁性層設置于所述第1磁極與所述第3磁性層之間，

所述第4非磁性層包括從由Cu、Ag、Au、Al及Cr構成的群選擇出的至少1個。