[發明專利]制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202110209530.7
• 申請日: 2021-02-25
• 公開（公告）號: CN113764431A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 許珉榮
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 張美芹;劉久亮

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

形成初始源極結構；

在所述初始源極結構上形成層疊結構，所述層疊結構包括第一材料層和第二材料層；

形成貫通所述層疊結構的初始存儲層；

形成貫通所述層疊結構的溝槽；

通過對所述第二材料層的被所述溝槽暴露的部分進行表面處理來形成第一緩沖圖案；以及

形成覆蓋所述第一緩沖圖案的保護層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述表面處理是氧化工藝，并且

其中，所述第一緩沖圖案包括氧化物。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述初始源極結構包括由所述溝槽暴露的第一源極層，并且

所述方法還包括通過氧化所述第一源極層的一部分來形成第二緩沖圖案。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述保護層覆蓋所述第二緩沖圖案。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述初始存儲層包括：初始隧道絕緣層；圍繞所述初始隧道絕緣層的初始數據存儲層；以及圍繞所述初始數據存儲層的初始阻擋層，并且

其中，所述保護層包括與所述初始數據存儲層相同的材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一緩沖圖案的側壁與所述溝槽的中心之間的距離小于所述第一材料層的側壁與所述溝槽的中心之間的距離。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一緩沖圖案的上表面與所述第一材料層的下表面接觸。

8.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：

通過去除所述初始源極結構的源極犧牲層形成腔；以及

通過在所述腔中形成第二源極層來形成源極結構。

9.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

形成初始源極結構；

在所述初始源極結構上形成層疊結構，所述層疊結構包括第一材料層和第二材料層；

形成貫通所述層疊結構的初始存儲層；

形成貫通所述層疊結構的溝槽；

形成與所述第一材料層重疊的緩沖圖案；以及

形成覆蓋所述緩沖圖案的保護層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述保護層包括在所述緩沖圖案之間的插設部。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述插設部接觸所述緩沖圖案中的一者的上表面和所述緩沖圖案中的另一者的下表面。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，所述保護層包括通過使所述保護層的內側壁凹進而形成的凹進部。

13.根據權利要求9所述的方法，其中，所述初始存儲層包括：初始隧道絕緣層；圍繞所述初始隧道絕緣層的初始數據存儲層；以及圍繞所述初始數據存儲層的初始阻擋層，并且

所述方法還包括：

去除所述初始源極結構的一部分以暴露所述初始阻擋層；

去除所述初始阻擋層的一部分；以及

同時去除所述初始數據存儲層的一部分和所述保護層。

14.根據權利要求13所述的方法，所述方法還包括：

同時去除所述初始隧道絕緣層的一部分和所述緩沖圖案。

15.根據權利要求9所述的方法，所述方法還包括：

同時去除所述緩沖圖案和所述第一材料層。

16.根據權利要求9所述的方法，所述方法還包括：

去除所述保護層以暴露所述緩沖圖案；

去除所述緩沖圖案以暴露所述第二材料層；以及

用導電圖案代替所述第二材料層。