[發明專利]揭膜方法

在審

• 申請號: 202110209104.3
• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN113013080A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 黃陽;王友鑄
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路制造（紹興）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明涉及一種揭膜方法，包括：提供貼附了保護膠帶的基底，基底的邊緣形成有缺口，保護膠帶與缺口完全重合；將揭膜膠帶以非熱壓合的方式壓合在保護膠帶上；利用剝膜機構從缺口位置開始起撕揭膜膠帶，將保護膠帶從基底上移除。本發明在不加熱和無輔助裝置的情況下，成功地將保護膠帶從基底上移除，便于選擇材質較軟的保護膠帶來保護基底，避免基底加工過程中受損的風險，確保產品質量，降低揭膜成本。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種揭膜方法。

背景技術

在半導體器件制造過程中，在晶圓(wafer)的功能面上形成眾多半導體器件之后，進行晶圓背面研磨工藝(Back Grinding tape，簡稱BG)，采用平坦化工藝研磨晶圓與功能面對應的背面去除部分厚度的晶圓，以減小后續形成的芯片厚度。在研磨晶圓背面的過程中，會先在晶圓的功能面上覆蓋一層保護膠帶(BG tape)，以避免在研磨晶圓背面過程中產生的雜質造成晶圓功能面污染，以及避免晶圓功能面直接與研磨設備接觸而造成晶圓功能面受損，進而降低形成的芯片質量。

此外，晶圓研磨之后，還需要將保護膠帶從晶圓上去除，此過程即為揭膜或剝膜(De-tape)處理。在揭膜時，目前提供一種熱剝離方法，具體參考圖1～圖2。實際操作時，利用熱壓頭1(Press Heater)將剝離膜2(Peeling tape)熱壓合到保護膜3上，然而利用剝膜機構按照箭頭的方向將保護膜3從晶圓4(wafer)上剝離下來并卷收于轉軸6上，轉軸6可以沿晶圓移動且可轉動。其中熱壓頭1加熱剝離膜2并同時對剝離膜2施加壓力，使得剝離膜2與保護膜3在熱壓點處強化粘合，從而順利地將保護膜3從晶圓4上移除。

上述熱壓合工藝通常要求保護膜3具有耐高溫和耐高壓的特性，但是這種特性的保護膜3比較硬，緩沖保護效果差，容易造成晶圓功能面受損，影響芯片的質量。然而，若選用不具有耐高溫和耐高壓特性的保護膜3時，在經過熱壓合之后，如圖3a所示，會在晶圓4的表面留下保護膜3的殘留物31(即殘留膠)，殘留物31會在后續晶圓加工過程中造成玷污和碎片的風險。如果不使用熱壓合工藝，則如圖3b所示，容易使保護膜3出現褶皺32，導致揭膜失敗。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明的目的在于提供一種揭膜方法，可以在不加熱以及不輔助裝置的情況下，成功地將保護膠帶從基底上移除，以便于選擇材質較軟的保護膠帶來保護基底，避免基底加工過程中受損的風險，確保了產品質量，降低了揭膜成本。

為實現上述目的，本發明提供一種揭膜方法，包括：

提供貼附了保護膠帶的基底，所述基底的邊緣形成有缺口，所述保護膠帶與所述缺口完全重合；

將揭膜膠帶以非熱壓合的方式壓合在所述保護膠帶上；

利用剝膜機構從所述缺口位置開始起撕所述揭膜膠帶，將所述保護膠帶從所述基底上移除。

優選地，所述剝膜機構包括滾軸和主動卷收轉軸；其中所述將揭膜膠帶以非熱壓合的方式壓合在所述保護膠帶上的步驟包括：

使所述滾軸壓抵在所述揭膜膠帶上，并驅動所述滾軸轉動和沿水平方向移動，將所述揭膜膠帶與所述保護膠帶壓合；

所述利用剝膜機構從所述缺口位置開始起撕所述揭膜膠帶，將所述保護膠帶從所述基底上移除的步驟包括：

將所述揭膜膠帶的一端固定在所述主動卷收轉軸上；

驅動所述主動卷收轉軸從所述缺口的一側向另一側水平移動，移動過程中還驅動所述主動卷收轉軸轉動，將已壓合的揭膜膠帶和保護膠帶卷收在所述主動卷收轉軸上，使所述保護膠帶從所述基底上移除。

優選地，所述主動卷收轉軸的移動速度小于或等于3mm/s。

優選地，以非熱壓合的方式在所述保護膠帶上壓合揭膜膠帶時的壓力為0.1Mpa～0.22Mpa。