[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110208548.5
• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN114078800A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 長谷川一磨
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L23/50;H01L23/52;H01L23/552;H01L25/18
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

實施方式提供一種能夠抑制接合焊針等連接機構與其它導線的干涉問題的半導體裝置。實施方式的半導體裝置具備：襯底，具有第1面；第1半導體芯片，設置在第1面上，且設置著第1電極、第2電極、及第3電極；樹脂，覆蓋第1面與第1半導體芯片，具有與第1面對向的第2面及位于第2面的相反側的第3面；第1導線，連接于第1電極，且述第3面露出；第2導線，連接于第2電極，且從第3面露出；第3導線，連接于第1面，且從第3面露出；以及第4導線，將第1面與第3電極連接；第3電極形成在第1電極與第2電極之間。

[相關申請案]

本申請案享有以日本專利申請案2020-137632號(申請日：2020年8月17日)為基礎申請案的優先權。本申請案通過參考該基礎申請案而包含基礎申請案的所有內容。

技術領域

所揭示的實施方式涉及一種半導體裝置。

背景技術

例如，半導體裝置具備積層的多個半導體芯片。通過在各半導體芯片接合導線，能夠進行信息的授受。如果積層的半導體芯片數量變多，積層體就會變厚，需要與其對應高度的導線。

由于焊線機的接合焊針的前端形狀為圓錐形，所以當接合時，可能產生焊針與其它導線干涉的問題。

發明內容

本發明提供一種能夠抑制接合焊針等連接機構與其它導線的干涉問題的半導體裝置。

本發明的半導體裝置具備：襯底，具有第1面；第1半導體芯片，設置在第1面上，且設置著第1電極、第2電極、及第3電極；樹脂，覆蓋第1面與第1半導體芯片，具有與第1面對向的第2面及位于第2面的相反側的第3面；第1導線，連接于第1電極，且述第3面露出；第2導線，連接于第2電極，且從第3面露出；第3導線，連接于第1面，且從第3面露出；以及第4導線，將第1面與第3電極連接；第3電極形成在第1電極與第2電極之間。

附圖說明

圖1A是示意性地表示第1實施方式的半導體裝置10的立體圖。

圖1B是圖1A中的區域AR的放大圖。

圖2A是示意性地表示半導體裝置10的截面的剖視圖。

圖2B是示意性地表示半導體裝置10的截面的剖視圖。

圖3A～J是表示半導體裝置10的制造工序的立體圖。

圖4是示意性地表示第2實施方式的半導體裝置10A的側視圖。

圖5A是示意性地表示第3實施方式的半導體裝置10B的立體圖。

圖5B是示意性地表示第3實施方式的半導體裝置10C的立體圖。

圖5C是示意性地表示第4實施方式的半導體裝置10D的立體圖。

具體實施方式

以下，參考附圖對本實施方式進行說明。為了容易理解說明，在各附圖中對相同的構成要素盡可能標注相同的符號，并省略重復說明。

圖1A是示意性地表示第1實施方式的半導體裝置10的一部分的立體圖。圖1B是圖1A中的區域AR的放大圖。圖2A是示意性地表示半導體裝置10的截面的剖視圖，圖2B是通過形成在支撐體40的第1電極層42的開口OP的截面中的半導體裝置10的示意性剖視圖。