[發(fā)明專利]一種多模塊功率分配拓?fù)潆娐?/span>在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110207997.8 | 申請(qǐng)日： | 2021-02-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112821753A | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫子路;呂冬翔;李釗;仇海波;李釧;王議鋒;王忠杰;王浩;朱立宏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十八研究所 |
| 主分類號(hào)： | H02M3/07 | 分類號(hào)： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 300384 天津市濱海*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 模塊 功率 分配 拓?fù)?/a> 電路 | ||
一種多模塊功率分配拓?fù)潆娐?，包括：電源BAT1、電源BAT2、電源BAT3、電容Cin1、電容Cin2、電容Cin3、電感L1、電感L2、電感L3、開關(guān)管Q11、開關(guān)管Q12、開關(guān)管Q21、開關(guān)管Q22、開關(guān)管Q31、開關(guān)管Q32、電容C01、電容C02、電容C03、電容C0和負(fù)載。本發(fā)明相比于傳統(tǒng)模塊化系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)在于：(1)模塊化功率子單元拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性較高，高頻工作條件下功率密度較高；(2)采用電壓電流雙閉環(huán)功率控制策略，算法復(fù)雜度低，執(zhí)行速度快。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電力電子功率變換技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多模塊功率分配拓?fù)潆娐贰?/p>
背景技術(shù)
隨著以GaN、SiC為典型代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展的逐步成熟，變換器拓?fù)涓哳l化發(fā)展趨勢(shì)迅猛。高頻化可以進(jìn)一步減小變換器的體積，提升其功率密度。在此背景下，模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步減小功率器件的電氣應(yīng)力。采用標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化的硬件模塊，可以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)，結(jié)合靈活的可拔插設(shè)計(jì)方案，可以實(shí)時(shí)對(duì)底層硬件模塊進(jìn)行更新維護(hù)。但高頻條件下的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)也帶來(lái)了諸多問(wèn)題，比如多模塊的功率分配問(wèn)題以及高頻工作條件下的實(shí)時(shí)控制問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種多模塊功率分配拓?fù)潆娐?，包括：電源BAT1、電源BAT2、電源BAT3、電容Cin1、電容Cin2、電容Cin3、電感L1、電感L2、電感L3、開關(guān)管Q11、開關(guān)管Q12、開關(guān)管Q21、開關(guān)管Q22、開關(guān)管Q31、開關(guān)管Q32、電容C01、電容C02、電容C03、電容C0和負(fù)載，其中，所述電源BAT1的正極分別與所述電容Cin1和所述電感L1的第一端連接而負(fù)極分別與所述電容Cin1的第二端、所述開關(guān)管Q11的正極、所述電容C01的第一端和所述負(fù)載的第二端連接，所述電感L1的第二端分別與所述開關(guān)管Q11的負(fù)極和所述開關(guān)管Q12的正極連接，所述開關(guān)管Q12的負(fù)極分別連接所述電容C01的第二端和所述負(fù)載的第二端，所述電源BAT2的正極分別與所述電容Cin2和所述電感L2的第一端連接而負(fù)極分別與所述電容Cin2的第二端、所述開關(guān)管Q21的正極、所述電容C02的第一端和所述負(fù)載的第二端連接，所述電感L2的第二端分別與所述開關(guān)管Q21的負(fù)極和所述開關(guān)管Q22的正極連接，所述開關(guān)管Q22的負(fù)極分別連接所述電容C02的第二端和所述負(fù)載的第二端，所述電源BAT3的正極分別與所述電容Cin3和所述電感L3的第一端連接而負(fù)極分別與所述電容Cin3的第二端、所述開關(guān)管Q31的正極、所述電容C03的第一端和所述負(fù)載的第二端連接，所述電感L3的第二端分別與所述開關(guān)管Q31的負(fù)極和所述開關(guān)管Q32的正極連接，所述開關(guān)管Q32的負(fù)極分別連接所述電容C03的第二端和所述負(fù)載的第二端，所述電容C0與所述負(fù)載并聯(lián)。
優(yōu)選地，所述開關(guān)管Q11為GS66516T頂部散熱型功率開關(guān)管。
優(yōu)選地，所述開關(guān)管Q12為GS66516T頂部散熱型功率開關(guān)管。
優(yōu)選地，所述開關(guān)管Q21為GS66516T頂部散熱型功率開關(guān)管。
優(yōu)選地，所述開關(guān)管Q22為GS66516T頂部散熱型功率開關(guān)管。
優(yōu)選地，所述開關(guān)管Q31為GS66516T頂部散熱型功率開關(guān)管。
優(yōu)選地，所述開關(guān)管Q32為GS66516T頂部散熱型功率開關(guān)管。
優(yōu)選地，所述電感L1為SER2918H功率貼片電感，工作頻率為500kHz。
優(yōu)選地，所述電感L2為SER2918H功率貼片電感，工作頻率為500kHz。
優(yōu)選地，所述電感L3為SER2918H功率貼片電感，工作頻率為500kHz。
本發(fā)明相比于傳統(tǒng)模塊化系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)在于：
(1)模塊化功率子單元拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性較高，高頻工作條件下功率密度較高；
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒(méi)有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動(dòng)態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動(dòng)態(tài)變換器組合的；由機(jī)電變換器與另一動(dòng)態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的
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