[發(fā)明專利]具有改進(jìn)的透射率的近紅外光學(xué)干涉濾波器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110207668.3 | 申請日： | 2016-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN112748488A | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅伯特·斯普拉格 | 申請（專利權(quán)）人： | 美題隆公司 |
| 主分類號： | G02B5/20 | 分類號： | G02B5/20;G02B5/28;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/16;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 麥善勇;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 美國俄*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 改進(jìn) 透射率 紅外 光學(xué) 干涉 濾波器 | ||
1.一種干涉濾波器，包括：
層堆疊，所述層堆疊包括在透明基板的一側(cè)上的第一層堆疊以及在透明基板的相對側(cè)上的第二層堆疊；以及
用于支撐所述第一層堆疊和所述第二層堆疊的透明基板，
其中所述第一層堆疊和第二層堆疊各自包括至少以下層中的多個層：
具有最佳添加的氮的無定形氫化硅的a-Si:H,N層，所述a-Si:H,N層包含介于3％至12％之間的氮；
折射率低于所述無定形氫化硅的折射率的一種或多種介電材料的層，其中該一種或多種介電材料的層包括折射率在1.9至2.7的范圍內(nèi)的介電材料的層；以及
其中所述層堆疊包括兩層或更多層的重復(fù)單元，所述重復(fù)單元被配置為實現(xiàn)期望的通頻帶性質(zhì)。
2.權(quán)利要求1所述的干涉濾波器，其中所述折射率在1.9至2.7的范圍內(nèi)的介電材料的層包括一個或多個層，該一個或多個層包括Si3N4、SiOxNy、Ta2O5、Nb2O5或TiO2，在SiOxNy中，y足夠大以提供1.9以上的折射率。
3.權(quán)利要求1至2中任一項所述的干涉濾波器，其中所述層堆疊被構(gòu)造為通頻帶中心波長在800nm至1100nm的范圍內(nèi)。
4.權(quán)利要求1至2中任一項所述的干涉濾波器，其中所述層堆疊被構(gòu)造為通頻帶中心波長在750nm至1100nm的范圍內(nèi)。
5.權(quán)利要求1至2中任一項所述的干涉濾波器，其中所述透明基板包括玻璃基板。
6.權(quán)利要求1至2中任一項所述的干涉濾波器，其中所述第一層堆疊限定具有低通截止波長的低通濾波器，所述第二層堆疊限定具有高通截止波長的高通濾波器，并且所述干涉濾波器具有在所述高通截止波長和所述低通截止波長之間限定的通頻帶。
7.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的干涉濾波器的方法，包括：
通過包括將所述層堆疊沉積在基板上的操作來制造所述的干涉濾波器。
8.權(quán)利要求7所述的方法，其中所述沉積包括使用至少硅基濺射靶的濺射。
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